[实用新型]LPDDR降容电路及具有该电路的装置有效
申请号: | 202121394089.6 | 申请日: | 2021-06-22 |
公开(公告)号: | CN215815199U | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
发明(设计)人: | 谢登煌;宋文杰;刘孜 | 申请(专利权)人: | 深圳市晶存科技有限公司 |
主分类号: | G11C11/413 | 分类号: | G11C11/413 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 张志辉 |
地址: | 518048 广东省深圳市福田区福*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | lpddr 电路 具有 装置 | ||
1.一种LPDDR降容电路,其特征在于,包括:
SOC控制芯片,为32位的芯片,且具有第一A通道和第一B通道两个通道;
第一LPDDR芯片,为32位的芯片,且具有第二A通道和第二B通道两个通道,所述第二A通道的功能正常,所述第二B通道的功能异常,所述第二A通道与所述第一A通道电性连接,所述第一LPDDR芯片的16位数据线分别与所述SOC控制芯片的DQ0-DQ15引脚一一对应连接;
第二LPDDR芯片,为32位的芯片,且具有第三A通道和第三B通道两个通道,所述第三B通道的功能正常,所述第三A通道的功能异常,所述第三B通道与所述第一B通道电性连接,所述第二LPDDR芯片的16位数据线分别与所述SOC控制芯片的DQ16-DQ31引脚一一对应连接。
2.根据权利要求1所述的LPDDR降容电路,其特征在于,还包括PCB电路板,所述SOC控制芯片、所述第一LPDDR芯片及所述第二LPDDR芯片均设于所述PCB电路板上。
3.根据权利要求2所述的LPDDR降容电路,其特征在于,所述第一LPDDR芯片与所述第二LPDDR芯片相对设置于所述PCB电路板的两个面上。
4.根据权利要求1或2或3所述的LPDDR降容电路,其特征在于,所述第一LPDDR芯片和所述第二LPDDR芯片均为LPDDR4芯片。
5.根据权利要求1或2或3所述的LPDDR降容电路,其特征在于,所述第一LPDDR芯片和所述第二LPDDR芯片均为LPDDR5芯片。
6.一种LPDDR降容装置,其特征在于,包括如权利要求1-5任一项所述的LPDDR降容电路。
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