[实用新型]一种高抑制的宽带介质滤波器

说明书

本实用新型公开了一种高抑制的宽带介质滤波器，包括陶瓷介质体，所述陶瓷介质体的顶面沿长度方向依次开设有六个谐振孔，在所述陶瓷介质体的底面沿长度方向依次开设有两个条形槽，每一条形槽分别与三个谐振孔连通；每一所述谐振孔的孔壁及条形槽的槽壁均通过金属化处理形成有金属层，每一所述谐振孔位于顶面的孔口处均通过金属化处理形成有顶面电极。本实用新型中，将六个谐振孔分别通过两个条形槽连通，使滤波器高频部分的带外出现了传输零点，从而提升高端带外抑制；并能有效降低滤波器的阶数，从而减小滤波器体积和损耗，提升应用效果；另外，通过开设条形槽能够增大滤波器的耦合系数，且方便对耦合系数进行调节；结构简单，实用性强。

技术领域

本实用新型涉及介质滤波器领域，特别涉及一种高抑制的宽带介质滤波器。

背景技术

一体式介质滤波器是采用电子陶瓷材料作为介质，成型为多级谐振腔实现选频功能。陶瓷材料的高介电常数能大幅减小滤波器尺寸，因此，介质滤波器具有小型化、温度特性好、耐功率性好、成本低和制造一致性高等诸多优点，能够实现小型化、集成化的应用。但是，由于宽带介质滤波器带外抑制较差，尤其是介质滤波器整体结构引起的寄生效应会进一步恶化带外抑制，使得介质滤波器能实现的相对带宽范围非常有限；另外，使用一体式介质的实现方式很难将谐振器之间的耦合系数做的很大。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供了一种可以实现40％相对带宽的高抑制的宽带介质滤波器。

本实用新型的技术方案如下：

一种高抑制的宽带介质滤波器，包括陶瓷介质体，所述陶瓷介质体的顶面沿长度方向依次开设有第一谐振孔、第二谐振孔、第三谐振孔、第四谐振孔、第五谐振孔和第六谐振孔，在所述陶瓷介质体的底面沿长度方向依次开设有第一条形槽和第二条形槽，所述第一谐振孔、第二谐振孔和第三谐振孔均与第一条形槽连通，所述第四谐振孔、第五谐振孔和第六谐振孔均与第二条形槽连通；每一所述谐振孔位于顶面的孔口处均通过金属化处理形成有顶面电极，每一所述谐振孔与其周围填充的介质、及对应的顶面电极形成一个介质谐振器；

每一所述谐振孔的孔壁以及第一条形槽和第二条形槽的槽壁均通过金属化处理形成有金属层，每一谐振孔孔壁的金属层分别与对应的顶面电极连接；在所述陶瓷介质体上通过金属化处理形成有地电极、第一输入输出电极和第二输入输出电极，所述地电极与第一输入输出电极、第二输入输出电极及每一顶面电极之间均设有隔离带。

进一步的，所述第一谐振孔、第二谐振孔、第三谐振孔、第四谐振孔、第五谐振孔和第六谐振孔的轴线均与陶瓷介质体的顶面垂直。

进一步的，所述第二谐振孔的直径大于第一谐振孔和第三谐振孔的直径；所述第五谐振孔的直径大于第四谐振孔和第六谐振孔的直径。

进一步的，所述第一谐振孔、第三谐振孔、第四谐振孔和第六谐振孔的直径相同，所述第二谐振孔和第五谐振孔的直径相同。

进一步的，所述第一条形槽和第二条形槽的宽度等于第二谐振孔和第五谐振孔的直径。

进一步的，所述第一谐振孔及其对应的顶面电极、所述第二谐振孔及其对应的顶面电极、所述第三谐振孔及其对应的顶面电极、第一条形槽形成第一谐振组件，所述第四谐振孔及其对应的顶面电极、所述第五谐振孔及其对应的顶面电极、所述第六谐振孔及其对应的顶面电极、第二条形槽形成第二谐振组件，所述第一谐振组件与第二谐振组件对称设置。

进一步的，所述第一条形槽远离第二条形槽的一端、以及第二条形槽远离第一条形槽的一端分别贯穿陶瓷介质体对应端的侧面。

进一步的，所述第一谐振孔和第二谐振孔的下孔口均位于第一条形槽的顶面上，所述第五谐振孔和第六谐振孔的下孔口均位于第二条形槽的顶面上；所述第三谐振孔和第四谐振孔分别贯穿陶瓷介质体的底面，所述第三谐振孔的孔壁上设有与第一条形槽连通的缺口，所述第四谐振孔的孔壁上设有与第二条形槽连通的缺口。