[实用新型]高精度光电电流检测芯片有效

专利信息
申请号: 202121353276.X 申请日: 2021-06-17
公开(公告)号: CN215066911U 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 吴正中;郑继晨 申请(专利权)人: 重庆意能芯电子科技有限公司
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00;G01J1/46
代理公司: 重庆鼎慧峰合知识产权代理事务所(普通合伙) 50236 代理人: 刘立烈
地址: 400039 重庆市九*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 高精度 光电 电流 检测 芯片
【权利要求书】:

1.一种高精度光电电流检测芯片,其特征在于,包括:

前馈放大器,为两级密勒补偿结构;

反馈电路,跨接在所述前馈放大器的输出端和反相输入端之间;

偏置电流电路,用于向所述前馈放大器提供偏置电流。

2.根据权利要求1所述的高精度光电电流检测芯片,其特征在于,所述前馈放大器包括五管放大器、单管共源放大器和电压比较器,该五管放大器的输出端经单管共源放大器连接电压比较器的输入端,所述五管放大器的偏置节点与单管共源放大器的输出端之间跨接有密勒电容。

3.根据权利要求2所述的高精度光电电流检测芯片,其特征在于,所述五管放大器由电流源电路、PMOS差分输入对和有源负载的NMOS对组成。

4.根据权利要求3所述的高精度光电电流检测芯片,其特征在于,所述电流源电路设置有电流镜,该电流镜的输入端与所述偏置电流电路的输出端连接,所述电流镜的输出端分别与PMOS差分输入对和有源负载的NMOS对的源端连接。

5.根据权利要求1-4任一所述的高精度光电电流检测芯片,其特征在于,所述前馈放大器中所有的PMOS管的衬底接入自身源端,所有的NMOS管的衬底接地。

6.根据权利要求1所述的高精度光电电流检测芯片,其特征在于,所述反馈电路设置有反馈电阻和电容,该反馈电阻和电容并联跨接在所述前馈放大器的输出端和反相输入端之间。

7.根据权利要求6所述的高精度光电电流检测芯片,其特征在于,所述反馈电阻包括多个串联的电阻。

8.根据权利要求1所述的高精度光电电流检测芯片,其特征在于,所述偏置电流电路设置有带隙基准源电路,该带隙基准源电路用于向所述前馈放大器提供偏置电流。

9.根据权利要求1所述的高精度光电电流检测芯片,其特征在于,还包括低压监测电路,该低压监测电路用于监测所述偏置电流电路的电源端电压。

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