[实用新型]一种基于纳米气泡技术的气流场PIV示踪粒子制备装置

权利要求书

1.一种基于纳米气泡技术的气流场PIV示踪粒子制备装置，其特征在于：包括干燥腔、管路阀门、风机、高压氦气/氢气瓶、纳米气泡发生器、温度传感器、超声雾化装置、干燥管和热风机；高压氦气/氢气瓶通过纳米气泡发生器的进气口持续提供气源，同时通过纳米气泡发生器的进水口供水，热风机通过干燥管向干燥腔中通入干燥的空气；干燥腔包括锥形顶盖、圆柱状本体和便于收集液滴的锥形底盖三个部分，超声雾化装置安装在顶盖的上端，干燥管入口分别安装在顶盖下端的圆锥面和圆柱状本体上。

2.根据权利要求1所述的一种基于纳米气泡技术的气流场PIV示踪粒子制备装置，其特征在于：根据干燥腔上的温度传感器显示的温度来调节热风机，使干燥腔温度范围为50℃-90℃。

3.根据权利要求1所述的一种基于纳米气泡技术的气流场PIV示踪粒子制备装置，其特征在于：纳米气泡发生器按照工作原理采用文丘里管法、超声空化法或机械剪切法。

4.根据权利要求3所述的一种基于纳米气泡技术的气流场PIV示踪粒子制备装置，其特征在于：采用机械剪切法纳米气泡发生器来生产纳米气泡溶液，气体流量范围为0.1L/h-0.5L/h，液体流量范围为1L/h-3L/h。

5.根据权利要求1所述的一种基于纳米气泡技术的气流场PIV示踪粒子制备装置，其特征在于：超声雾化装置采用压电式超声雾化装置或流动力式超声雾化装置，每小时的雾化量为100ml/h-200ml/h，索特平均直径范围为3μm-7μm，雾滴直径范围为1μm-10μm。

6.根据权利要求1所述的一种基于纳米气泡技术的气流场PIV示踪粒子制备装置，其特征在于：温度传感器安装于干燥腔的圆柱状本体上，该温度传感器需要测量的温度范围在0℃～100℃之间。