[实用新型]一种用于传感器的抗高频干扰装置

权利要求书

1.一种用于传感器的抗高频干扰装置，包括扭矩传感器、信号处理单元和处理器，其特征在于：所述信号处理单元包括二阶低通滤波电路和陷波稳定调节电路，所述二阶低通滤波电路的输入端连接所述扭矩传感器的信号输出端，所述二阶低通滤波电路的输出端连接所述陷波稳定调节电路的输入端，所述陷波稳定调节电路的输出端连接所述处理器。

2.根据权利要求1所述的用于传感器的抗高频干扰装置，其特征在于：所述二阶低通滤波电路包括运放器AR1，运放器AR1的反相输入端连接电阻R2和电容C2的一端，电阻R2的另一端连接电阻R1和电容C1的一端，并通过电阻R3连接电容C2的另一端和运放器AR1的输出端，电阻R1的另一端连接所述扭矩传感器的信号输出端，电容C1的另一端接地，运放器AR1的同相输入端通过电阻R4接地，运放器AR1的输出端连接运放器AR2的反相输入端和电阻Rf的一端，运放器AR2的同相输入端通过电阻R5接地，运放器AR2的输出端连接电阻Rf的另一端和所述陷波稳定调节电路的输入端。

3.根据权利要求2所述的用于传感器的抗高频干扰装置，其特征在于：所述陷波稳定调节电路包括运放器AR3，运放器AR3的同相输入端连接运放器AR2的输出端，运放器AR3的反相输入端连接电阻R6和电感L1的一端，电阻R6的另一端连接电容C3的一端，电感L1和电容C3的另一端连接运放器AR3的输出端，并通过电阻R7接地，运放器AR3的输出端与所述处理器之间还设置有反馈稳定组件。

4.根据权利要求3所述的用于传感器的抗高频干扰装置，其特征在于：所述反馈稳定组件包括MOS管Q1，MOS管Q1的漏极连接运放器AR3的输出端和电阻R8的一端，MOS管Q1的源极连接电阻R9、电容C4的一端和所述处理器，MOS管Q1的栅极连接电阻R8、R9的另一端、变阻器RP1的一端和三极管VT1的集电极，三极管VT1的基极连接变阻器RP1的另一端与滑动端，三极管VT1的发射极和电容C4的另一端接地。