[实用新型]照明装置及具有照明装置的客机、微型LED显示装置有效
申请号: | 202121328522.6 | 申请日: | 2021-06-15 |
公开(公告)号: | CN215418209U | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 白龙贤;姜志勳;金材宪;朴志焄;李素拉 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L33/24 | 分类号: | H01L33/24;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/44;H01L25/075 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 全振永;姜长星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 照明 装置 具有 客机 微型 led 显示装置 | ||
1.一种照明装置,所述照明装置包括发光二极管,其特征在于,
所述发光二极管包括:
n型氮化物半导体层;
活性层,位于所述n型氮化物半导体层上;以及
p型氮化物半导体层,位于所述活性层上,
其中,所述发光二极管根据所输入的电流发出能够从黄光变为白光的光。
2.根据权利要求1所述的照明装置,其特征在于,
所述发光二极管随着驱动电流的增加而发出两个峰值波长的光。
3.根据权利要求1所述的照明装置,其特征在于,
所述发光二极管还包括:V形坑生成层,布置于所述n型氮化物半导体层与所述活性层之间,
其中,所述活性层的一部分形成于所述V形坑生成层的V形坑内。
4.根据权利要求3所述的照明装置,其特征在于,
所述V形坑生成层具有大于450nm的厚度,
形成于所述V形坑生成层的V形坑包括具有大于230nm的入口宽度的V形坑。
5.根据权利要求3所述的照明装置,其特征在于,
所述发光二极管还包括:p型AlxGa1-xN层,夹设于所述活性层与所述p型氮化物半导体层之间,
其中,所述p型AlxGa1-xN层内的Al的组成比x大于0且小于0.1。
6.根据权利要求5所述的照明装置,其特征在于,
所述p型AlxGa1-xN层具有小于100nm的厚度。
7.根据权利要求5所述的照明装置,其特征在于,
所述活性层具有包括多个阱层及多个势垒层的多量子阱结构,
并且,所述活性层还包括在所述阱层与势垒层之间覆盖所述阱层的覆盖层,
其中,所述覆盖层包含Al。
8.根据权利要求1所述的照明装置,其特征在于,
所述照明装置设置于客机内部。
9.根据权利要求1所述的照明装置,其特征在于,
所述照明装置设置于桌台。
10.一种客机,其特征在于,
所述客机内部具有权利要求1至权利要求9中的任意一项所述的照明装置。
11.一种微型LED显示装置,其特征在于,包括:
显示基板;以及
第一发光二极管、第二发光二极管、第三发光二极管及第四发光二极管,排列于所述显示基板上,
其中,所述第一发光二极管至第三发光二极管发出彼此不同颜色的单色光,
所述第四发光二极管根据所输入的电流而发出能够从黄色变为白色的光。
12.根据权利要求11所述的微型LED显示装置,其特征在于,
所述第四发光二极管发出两个峰值波长的光。
13.根据权利要求11所述的微型LED显示装置,其特征在于,
所述第四发光二极管包括:
n型氮化物半导体层;
活性层,位于所述n型氮化物半导体层上;
p型氮化物半导体层,位于所述活性层上;以及
V形坑生成层,布置于所述n型氮化物半导体层与所述活性层之间,
其中,所述活性层的一部分形成于所述V形坑生成层的V形坑内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于首尔伟傲世有限公司,未经首尔伟傲世有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202121328522.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种轮机起重设备
- 下一篇:一种带有拾取装置的口罩出片机