[实用新型]一种比特单元和数据解析单元

说明书

本申请提供一种比特单元和数据解析单元。在该比特单元中，两个反向器首尾相连构成闩锁结构、闩锁结构通过开关模块与数据传输线建立连接、开关模块受控于字线，从而可以实现数据的写入和读取；另外，由于反向器和开关模块均包括MOS管，并且有至少一个MOS管为FDSOI‑MOS管，所以使得该比特单元在实际运行过程中的漏电流得到减少，从而降低了漏电流对自身运行造成的影响；还有，采用FDSOI‑MOS管后，由于FDSOI‑MOS管具有极小的阈值电压的变化性，即具有更好的阈值电压的均匀性，进而有利于与该比特单元相对应的数字集成电路的时序收敛。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及一种比特单元和数据解析单元。

背景技术

在任何新的工艺上，开发存储器的比特单元是最前期也是最重要的工作之一，只有这样才能使得此工艺具有数据存储的能力。在各种不同比特单元中，高密度比特单元是最重要的，比如在高度集成的芯片中，占了整个芯片面积的30％～60％左右的高密度比特单元可以直接影响芯片的性能。

目前，现有技术中有一种比特单元，在实际运行过程中，其自身存在较高的漏电流，从而对自身的运行造成影响。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种比特单元和数据解析单元，以减少在实际运行过程中，比特单元自身漏电流对自身运行所造成的影响。

为实现上述目的，本实用新型实施例提供如下技术方案：

本申请一方面提供一种比特单元，包括：开关模块和两个反向器；其中：

两个所述反向器首尾相连，组成闩锁结构，所述闩锁结构通过所述开关模块与数据传输线建立连接；所述开关模块受控于字线；

所述反向器和所述开关模块均包括MOS管，至少一个MOS管为FDSOI-MOS管。

可选的，所述FDSOI-MOS管，还设置有：体偏压连接极；所述体偏压连接极与电压产生器相连。

可选的，所述体偏压连接极接收到正电压或负电压，以形成正向偏压或者反向偏压。

可选的，若所述数据传输线为：位线，则所述开关模块，包括：第一MOS管：其中：

所述第一MOS管为NMOS管；

所述第一MOS管的栅极与所述字线相连，所述第一MOS管的源极与所述闩锁结构的任一连接点相连，所述第一MOS管的漏极与所述位线相连。

可选的，所述反向器，包括：第二MOS管和第三MOS管；其中：

所述第二MOS管为PMOS管，所述第三MOS管为NMOS管；

所述第二MOS管和所述第三MOS管共栅极连接，连接点作为所述反向器的输入端；

所述第二MOS管和所述第三MOS管共漏极连接，连接点作为所述反向器的输出端；

所述第二MOS管的源极与工作电源相连，所述第三MOS管的源极与公共地相连。

本申请另一方面提供一种数据解析单元，包括：数据解析模块和如本申请上一方面任一项所述的比特单元；其中：

所述数据解析模块的输入端与所述比特单元中的数据传输线相连，所述数据解析模块的输出端输出所述比特单元的保存数据；所述保存数据是对所述数据传输线的电压进行解析得到的。

可选的，若所述比特单元的数据传输线为：位线，则所述数据解析模块的一个输入端接收基准电压、另一个输入端与所述位线相连；所述基准电压为所述比特单元的额定电压的一半。

可选的，所述数据解析模块为感测放大器；其中：