[实用新型]一种非隔离打嗝短路保护电路

说明书

本实用新型涉及短路保护电路技术领域，公开了一种非隔离打嗝短路保护电路，包括：电流采样电路，输入端连接主电路的输出端，用于检测主电路的输出电流；延时电路，用于延长短路保护周期；控制电路，包括输入端、第一输出端和第二输出端，其中输入端连接电流采样电路的输出端，第一输出端连接主电路，第二输出端连接延时电路；所述控制电路用于在主电路的输出电流大于设定电流时，控制主电路停止输出电压，同时启动延时电路开启延长短路保护周期，完成一次打嗝短路保护，本实用新型通过电流采样电路检测短路保护信号，当有短路保护信号时，通过延时电路延长短路保护周期，达到降低短路保护时的短路损耗。

技术领域

本实用新型涉及短路保护电路技术领域，特别涉及一种非隔离打嗝短路保护电路。

背景技术

传统的短路保护电路中，短路保护电路的保护周期短，模块反复重启时自身短路损耗增大，长期短路时很容易导致模块损坏，轻则模块部分功能失效，严重的导致系统失效。

实用新型内容

本实用新型提供一种非隔离打嗝短路保护电路，可以解决现有技术中的上述问题。

本实用新型提供了一种非隔离打嗝短路保护电路，包括：电流采样电路，输入端连接主电路的输出端，用于检测主电路的输出电流；

延时电路，用于延长短路保护周期；

控制电路，包括输入端、第一输出端和第二输出端，其中输入端连接电流采样电路的输出端，第一输出端连接主电路，第二输出端连接延时电路；所述控制电路用于在主电路的输出电流大于设定电流时，控制主电路停止输出电压，同时启动延时电路开启延长短路保护周期，完成一次打嗝短路保护。

所述控制电路包括：电阻R6、电阻R7、MOSFET管Q3、二极管D3、二极管D5和稳压管DZ4；

电流采样电路GL端连接二极管D5的正极，二极管D5的负极连接电阻R6的一端，电阻R6的另一端连接MOSFET管Q3的栅极，电阻R7的一端接地，电阻R7的另一端连接MOSFET管Q3的栅极，稳压管DZ4的正极接地，稳压管DZ4的负极连接MOSFET管Q3的栅极，MOSFET管Q3的源极接地，二极管D3的负极连接MOSFET管Q3的漏极，二极管D3的正极连接主电路的功率MOSFET管。

所述延时电路包括：三极管VT2，电阻R2、电阻R3、电阻R4，电阻R5，电容C4，稳压管DZ2、稳压管DZ3、二极管D2、二极管D4和三极管VT3，三极管VT2的发射极连接输入电源+Vin，电阻R2连接在三极管VT2的发射极和基极之间，电阻R3的一端连接三极管VT2的基极，电阻R3的另一端连接二极管D2的正极，二极管D2的负极连接MOSFET管Q3的漏极，二极管D4的正极连接三极管VT2集电极，二极管D4的负极连接二极管D5的负极，电阻R4一端连接三极管VT2集电极，电阻R4的另一端连接稳压管DZ2的负极，稳压管DZ2的正极连接三极管VT3的基极，三极管VT3的发射极接地，三极管VT3的集电极连接MOSFET管Q3的栅极，稳压管DZ3的负极连接稳压管DZ2的负极，稳压管DZ3的正极接地，电容C4一端连接稳压管DZ2的负极，电容C4的另一端接地，电阻R5的一端连接稳压管DZ2的负极，电阻R5的另一端接地。

所述三极管VT2和三极管VT3用MOSFET管替代。