[实用新型]一种紫外LED芯片封装半成品及封装结构有效
| 申请号： | 202121250945.0 | 申请日： | 2021-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN214625081U | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 罗轶;张健;郭庆霞;易斌 | 申请（专利权）人： | 北京创盈光电医疗科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/54;H01L33/56;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 俞炯;马希超 |
| 地址： | 102600 北京市大兴区北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 led 芯片 封装 半成品 结构 | ||
1.一种紫外LED芯片封装半成品，其特征在于：包括基板(1)，基板(1)上开设有封装槽(2)，紫外LED芯片(8)放置在封装槽(2)的槽底上；封装槽(2)内设置有抗黄硅胶硫化剂层(3)，抗黄硅胶硫化剂层(3)上设置有填充在封装槽(2)内部的原硅胶层(4)。
2.根据权利要求1所述的一种紫外LED芯片封装半成品，其特征在于：抗黄硅胶硫化剂层(3)远离原硅胶层(4)的一侧设置有绝缘反射层(5)，绝缘反射层(5)设置在封装槽(2)的槽底与槽壁上；绝缘反射层(5)避开紫外LED芯片(8)设置。
3.根据权利要求2所述的一种紫外LED芯片封装半成品，其特征在于：绝缘反射层(5)包括多个层叠分布的反射单元(51)；每个反射单元(51)包括低折射率层(512)以及高折射率层(511)，低折射率层(512)的折射率小于高折射率层(511)的折射率。
4.根据权利要求1所述的一种紫外LED芯片封装半成品，其特征在于：封装槽(2)相对的槽壁之间的距离沿着从靠进到远离槽底的方向逐渐变大。
5.根据权利要求1所述的一种紫外LED芯片封装半成品，其特征在于：紫外LED芯片(8)与封装槽(2)的槽底之间点涂有固定胶。
6.一种紫外LED芯片封装结构，其特征在于：是由权利要求1中所述的一种紫外LED芯片封装半成品制成的封装结构，包括基板(1)，基板(1)上开设有封装槽(2)，紫外LED芯片(8)放置在封装槽(2)的槽底上；封装槽(2)内部固定填充有抗黄硫化硅胶层(6)，抗黄硫化硅胶层(6)覆盖在紫外LED芯片(8)上。
7.根据权利要求6所述的一种紫外LED芯片封装结构，其特征在于：封装槽(2)的槽底和槽壁上均设置有绝缘反射层(5)，抗黄硫化硅胶层(6)覆盖在绝缘反射层(5)上，绝缘反射层(5)避开紫外LED芯片(8)设置。
8.根据权利要求7所述的一种紫外LED芯片封装结构，其特征在于：绝缘反射层(5)包括多个层叠分布的反射单元(51)；每个反射单元(51)包括低折射率层(512)以及高折射率层(511)，低折射率层(512)的折射率小于高折射率层(511)的折射率。
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