[实用新型]一种窄边框TFT结构

权利要求书

1.一种窄边框TFT结构，其特征在于，包括GIP电路布局区，所述GIP电路布局区包括Metal1层、Metal2层、接触孔和ITO；

所述Metal2层位于所述Metal1层上方，且所述Metal2层的宽度小于Metal1层的宽度；

所述接触孔挖设于所述Metal1层与所述Metal2层的投影在相邻的部分重叠与部分非重叠的区域上方，且所述接触孔的底部与所述Metal1层和所述Metal2层相接触；

所述ITO覆盖在所述接触孔内上方及四周。

2.根据权利要求1所述的一种窄边框TFT结构，其特征在于，所述接触孔底部占所述Metal1层上方的面积形状与占所述Metal2层上方的面积形状相同。

3.根据权利要求1所述的一种窄边框TFT结构，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层覆盖于所述Metal1层上除所述接触孔之外的区域以及所述Metal2层上除所述接触孔之外的区域。

4.根据权利要求1所述的一种窄边框TFT结构，其特征在于，还包括基板；

所述GIP电路布局区位于所述基板上。

5.根据权利要求4所述的一种窄边框TFT结构，其特征在于，还包括画素区和信号输入区；

所述画素区和所述信号输入区均位于所述基板上；

所述画素区为矩形形状且位于所述基板中部，所述GIP电路布局区位于所述画素区两侧，所述信号输入区位于所述画素区另外两侧。