[实用新型]一种直流磁化退磁装置

权利要求书

1.一种直流磁化退磁装置，其特征在于，包括初级线包、套设在初级线包外侧的次级线包和平衡电抗器，所述初级线包和次级线包均接入平衡电抗器中；

所述初级线包包括初级第一组线包、初级第二组线包和初级第三组线包，所述初级第一组线包、初级第二组线包和初级第三组线包接成三角形；

所述次级线包包括次级第一组线包、次级第二组线包和次级第三组线包，所述次级第一组线包、次级第二组线包和次级第三组线包接成双反星形；

所述次级第一组线包套设在初级第一组线包外侧，所述次级第二组线包套设在初级第二组线包外侧，所述次级第三组线包套设在初级第三组线包外侧。

2.根据权利要求1所述的直流磁化退磁装置，其特征在于，所述初级第一组线包、初级第二组线包和初级第三组线包均为40mm²的玻璃丝包线按照52匝/包绕制而成。

3.根据权利要求1所述的直流磁化退磁装置，其特征在于，所述次级第一组线包、次级第二组线包和次级第三组线包均为8×30铜排顺时针按照4匝/包、2包/组绕制而成。

4.根据权利要求1所述的直流磁化退磁装置，其特征在于，所述三角形为用300×120、210×120、300×120叠成的三柱式铁芯变压器。

5.根据权利要求1所述的直流磁化退磁装置，其特征在于，所述次级线包的双反星形分别接入平衡电抗器的两组输入端以组成带平衡反抗器的双反星形主回路。

6.根据权利要求5所述的直流磁化退磁装置，其特征在于，所述双反星形主回路包括平衡反抗器DK、第一反星形和第二反星形，所述第一反星形包括变压器ab相线包、变压器bc相线包和变压器ca相线包，所述变压器ab相线包的一端、变压器bc相线包的一端和变压器ca相线包的一端均与平衡反抗器DK的一组输入端连接，所述变压器ab相线包的另一端分别与可控硅V1的正极和可控硅-V4的负极连接，所述变压器bc相线包的另一端分别与可控硅V3的正极和可控硅-V6的负极连接，所述变压器ca相线包的另一端分别与可控硅V5的正极和可控硅-V2的负极连接，所述第二反星形包括变压器AB相线包、变压器BC相线包和变压器CA相线包，所述变压器AB相线包、变压器BC相线包和变压器CA相线包的一端均与平衡反抗器DK的另一组输入端连接，所述变压器AB相线包的另一端分别与可控硅V4的正极和可控硅-V1的负极连接，所述变压器BC相线包的另一端分别与可控硅V6的正极和可控硅-V3的负极连接，所述变压器CA相线包的另一端分别与可控硅V2的正极和可控硅-V5的负极连接，所述可控硅V1的负极、可控硅-V4的正极、可控硅V3的负极、可控硅-V6的正极、可控硅V5的负极、可控硅-V2的正极、可控硅V4的负极、可控硅-V1的正极、可控硅V6的负极、可控硅-V3的正极、可控硅V2的负极和可控硅-V5的正极均通过分流器FL660连接平衡抗器DK的输出端，所述可控硅V1、可控硅-V4、可控硅V3、可控硅-V6、可控硅V5、可控硅-V2、可控硅V4、可控硅-V1、可控硅V6、可控硅-V3、可控硅V2和可控硅-V5的控制端均与可控硅触发板AP611连接。

7.根据权利要求6所述的直流磁化退磁装置，其特征在于，所述可控硅为KP3000/800V可控硅。