[实用新型]阻焊剂层的薄膜化装置

说明书

本实用新型的课题在于，提供一种阻焊剂层的薄膜化装置，在阻焊剂层的薄膜化装置中，即使在将胶束的溶解除去速度极慢的阻焊剂层薄膜化的情况下，也不会残留无法利用胶束除去液完全除去的阻焊剂层，薄膜化面变得平滑。本发明的阻焊剂层的薄膜化装置的特征在于，是具备利用薄膜化处理液使没有固化的阻焊剂层的成分胶束化的薄膜化处理组件、和利用胶束除去液除去胶束的胶束除去处理组件而成的阻焊剂层的薄膜化装置，胶束除去处理组件具有胶束除去液供给用喷雾喷嘴，胶束除去液供给用喷雾喷嘴为固定式，并且，以使喷射方向为同一方向的方式配置，胶束除去液供给用喷雾喷嘴的喷雾图案为扇形。

技术领域

涉及一种阻焊剂层的薄膜化装置。

背景技术

在各种电气设备内部的布线基板上，为了不在电路基板的无需钎焊的导体布线附着焊料，以将该无需钎焊的部分用阻焊剂层被覆的方式形成阻焊剂图案。另外，阻焊剂图案起到对导体布线的氧化的防止、电绝缘及免受外部环境影响的保护的作用。

在电路基板上搭载有半导体芯片等电子部件的半导体封装中，利用倒装片接合的电子部件的搭载在实现高速化、高密度化的方面是有效的方法。倒装片接合中，导体布线的一部分成为倒装片接合用的接合垫，例如将配设于该接合垫上的焊料凸点与半导体芯片的电极端子接合。

作为阻焊剂图案在电路基板上的形成方法，通常已知有光刻方式。光刻方式中，在电路基板上形成阻焊剂层53，其中所述电路基板在绝缘层51上具有接合垫54和导体布线52，然后进行曝光、显影，除去接合垫54周边的阻焊剂层53，设置开口部，由此形成图1所示的Solder Mask Defined(SMD)结构、图2所示的Non Solder Mask Defined(NSMD)结构。

在SMD结构中，由于接合垫54的周边附近由阻焊剂层53被覆，因此为了将电子部件的电极端子与接合垫54可靠地电连接，需要确保在接合垫54的露出面形成的接合部所必需的焊料量，从而存在有接合垫54大型化的问题。此外，为了将接合垫54的周边附近利用阻焊剂层53可靠地被覆，考虑到加工精度，需要确保接合垫54的利用阻焊剂层53被覆的部分的宽度大，从而存在有接合垫54进一步大型化的问题。另一方面，NSMD结构的接合垫54中，由于整个接合垫54从阻焊剂层53中露出，因此与焊料的接合面积大，与SMD结构的情况相比，可以将接合垫54小型化。但是，NSMD结构中，由于接合垫54从阻焊剂层53中完全地露出，因此有在相互相邻的接合垫54间产生由焊料所致的电短路的情况。

为了解决此种问题，公开过如下的阻焊剂图案的形成方法，其至少依次包括：在具有接合垫54的电路基板上形成阻焊剂层53的工序、将没有固化的阻焊剂层53薄膜化至阻焊剂层53的厚度达到接合垫54的厚度以下为止的工序(例如参照专利文献1～4)。该形成方法中，如图3所示，可以获得接合垫54表面从阻焊剂层53露出、而接合垫54侧面的一部分由阻焊剂层53被覆的结构。图3所示的结构中，不易产生相互相邻的接合垫54间的由焊料所致的电短路，可以确保为了将电子部件的电极端子与接合垫54可靠地电连接所必需的焊料量，能够将接合垫54小型化，可以制作出电连接可靠性优异的高密度布线的布线基板。

另外，专利文献5中，公开过如下的抗蚀剂层的薄膜化装置，该装置至少包含四个处理组件：薄膜化处理组件，其将形成有抗蚀剂层的基板浸渍(dip)于高浓度的碱水溶液(薄膜化处理液)中而使抗蚀剂层的成分的胶束暂时不溶化，使之不易向处理液中溶解扩散；胶束除去处理组件，其利用胶束除去液喷雾一举将胶束溶解除去；水洗处理组件，其用水洗处理液洗涤表面；和干燥处理组件，其将水洗处理液除去。