[实用新型]D TOF数据压缩系统有效

专利信息
申请号: 202121231781.7 申请日: 2021-06-03
公开(公告)号: CN215268239U 公开(公告)日: 2021-12-21
发明(设计)人: 东尚清 申请(专利权)人: 上海大芯半导体有限公司
主分类号: H03M7/30 分类号: H03M7/30
代理公司: 上海和华启核知识产权代理有限公司 31339 代理人: 王仙子
地址: 200131 上海市浦东新区中国*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: tof 数据压缩 系统
【权利要求书】:

1.一种D TOF数据压缩系统,其特征在于,包括TDC模块,所述TDC模块内部设有计数模块与编码器模块,所述TDC模块内部设有多个VCO单元,所述VCO单元之间依次连接,且第一个所述VCO单元与最后一个所述VCO单元连接,所述VCO单元上均连接有可调偏置模块,所述可调偏置模块输入端连接有直方图、DSP模块,所述直方图、DSP模块输入端与所述TDC模块输出端连接。

2.如权利要求1所述的D TOF数据压缩系统,其特征在于,所述TDC模块上连接有用于向目标物体发射光信号的信号发射端,所述TDC模块上连接有用于接收目标物体反射回的光信号的信号收集端,所述TDC模块上连接有用于对所述光信号进行处理的信号处理端。

3.如权利要求2所述的D TOF数据压缩系统,其特征在于,所述信号处理端根据光信号发出到收回的时间以及对应光信号强度构建直方图,所述直方图中光信号强度峰值为真实距离值。

4.如权利要求1所述的D TOF数据压缩系统,其特征在于,所述VCO单元上设有5个引脚,分别为Vct端、Vin端、Von端、Vip端以及Vop端,所述Vct端与所述可调偏置模块输出端连接,所述Vct端连接有第一PMOS管,所述第一PMOS管的源极电源负极,所述第一PMOS管的漏极分别连接有两个第二PMOS管,两个所述第二PMOS管的栅极分别连接有Vop端与Von端,两个所述第二PMOS管的漏极分别连接有两个NMOS管,两个所述NMOS管的漏极均接地,两个所述NMOS管的栅极分别连接有Vin端与Vip端。

5.如权利要求1所述的D TOF数据压缩系统,其特征在于,位于前一个所述VCO单元的Von端与下一个所述VCO单元的Vip端连接,且位于前一个所述VCO单元的Vop端与下一个所述VCO单元的Vin端连接。

6.如权利要求1所述的D TOF数据压缩系统,其特征在于,所述可调偏置模块为带隙电压基准电路、低压差线性稳压器、buffer电路或DAC。

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