[实用新型]一种基于Flash储存器的升级装置

权利要求书

1.一种基于Flash储存器的升级装置，其特征在于：包括MCU及与其电性连接的转接板模块、第一升级插座模块、通道切换模块；所述转接板模块还分别与所述第一升级插座模块、烧录器电性连接；所述通道切换模块还分别与所述第一升级插座模块和待升级Flash储存器电性连接。

2.如权利要求1所述的一种基于Flash储存器的升级装置，其特征在于：所述转接板模块包括第二升级插座模块及与其电性连接的烧录器连接插座、强制开关；所述第二升级插座模块还与所述第一升级插座模块连接，所述烧录器连接插座还与所述烧录器电性连接。

3.如权利要求1所述的一种基于Flash储存器的升级装置，其特征在于：所述通道切换模块包括第一选择器、第二选择器、第三选择器和升级开关；所述升级开关一端与所述MCU连接，另一端分别与所述第一选择器、所述第二选择器、所述第三选择器的控制端连接；

所述第一选择器包括第一输入端、第二输入端和第一输出端，所述第一输入端、所述第二输入端和所述第一输出端分别与所述MCU的数据输出端、所述第一升级插座模块、所述待升级Flash储存器的数据接收端连接；

所述第二选择器包括第三输入端、第四输入端和第二输出端，所述第三输入端、所述第四输入端和所述第二输出端分别与所述MCU的数据输出端、所述第一升级插座模块、所述待升级Flash储存器的数据接收端连接；

所述第三选择器包括第五输入端、第六输入端和第三输出端，所述第五输入端、所述第六输入端和所述第三输出端分别连接所述第一升级插座模块的信号输出端、所述待升级Flash储存器的信号接收端。

4.如权利要求3所述的一种基于Flash储存器的升级装置，其特征在于：当所述升级开关为NPN型三极管时，其基极与所述MCU连接、发射极接地，其集电极分别与所述第一选择器、所述第二选择器、所述第三选择器的控制端以及电源端连接。

5.如权利要求2所述的一种基于Flash储存器的升级装置，其特征在于：所述第一升级插座模块通过所述第二升级插座模块与所述强制开关连接，所述强制开关与所述通道切换模块并联；所述强制开关至少包括第一不动端和第二不动端，所述第一不动端接地。

6.如权利要求2所述的一种基于Flash储存器的升级装置，其特征在于：所述转接板模块还包括与所述第二升级插座模块电性连接的升级指示模块，所述升级指示模块包括分压电阻、发光二极管和第一三极管；当所述第一三极管为NPN型三极管时，所述第一三极管的基极与所述MCU连接、集电极依次通过所述发光二极管和分压电阻连接到电源、发射极接地。

7.如权利要求3所述的一种基于Flash储存器的升级装置，其特征在于：所述第一选择器、所述第二选择器、所述第三选择器均为8选4选择器；所述升级开关为带阻三极管。

8.如权利要求2所述的一种基于Flash储存器的升级装置，其特征在于：所述强制开关为波动开关。

9.如权利要求6所述的一种基于Flash储存器的升级装置，其特征在于：所述第一三极管为带阻三极管。