[实用新型]脑深部信号放大电路、脑深部信号放大器和神经刺激系统有效

专利信息
申请号: 202121199302.8 申请日: 2021-05-31
公开(公告)号: CN215461421U 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 刘彬;朱为然 申请(专利权)人: 景昱医疗器械(长沙)有限公司
主分类号: A61N1/05 分类号: A61N1/05;A61N1/36;A61N1/372;H03F1/26
代理公司: 苏州领跃知识产权代理有限公司 32370 代理人: 王宁
地址: 410000 湖南省长沙市长沙高新*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 脑深部 信号 放大 电路 放大器 神经 刺激 系统
【权利要求书】:

1.一种脑深部信号放大电路,其特征在于,所述脑深部信号放大电路包括低噪声放大器、带隙基准电路、带通滤波电路、第二运算放大器、第三电阻和第四电阻以及第一电容和第二电容;

所述低噪声放大器的第一输入端通过所述第一电容接入第一脑深部信号,所述低噪声放大器的第二输入端通过所述第二电容接入第二脑深部信号,所述第一脑深部信号和所述第二脑深部信号是差分信号,所述低噪声放大器的第一输出端和第二输出端分别连接至所述带通滤波电路的第一输入端和第二输入端;

所述带隙基准电路用于提供预设电压,所述带隙基准电路的输出端分别连接至所述带通滤波电路的第三输入端和所述第二运算放大器的同相输入端;

所述带通滤波电路用于对所述第一脑深部信号和所述第二脑深部信号进行滤波,所述带通滤波电路的输出端通过所述第三电阻连接至所述第二运算放大器的反相输入端;

所述第二运算放大器的输出端通过所述第四电阻连接至所述第二运算放大器的反相输入端。

2.根据权利要求1所述的脑深部信号放大电路,其特征在于,所述带隙基准电路包括基准电压产生电路、第一运算放大器、第一电阻和第二电阻;

所述基准电压产生电路的输出端输出基准电压至所述第一运算放大器的同相输入端;

所述第一运算放大器的输出端通过顺次串联的所述第一电阻和所述第二电阻接地,所述第一运算放大器的反相输入端连接于所述第一电阻和所述第二电阻之间,所述第一运算放大器的输出端还连接至所述带隙基准电路的输出端。

3.根据权利要求1所述的脑深部信号放大电路,其特征在于,所述带通滤波电路包括第一放大器至第三放大器、第五电阻至第七电阻以及第四电容至第六电容;

所述第一放大器的第一输入端和第二输入端分别连接至所述带通滤波电路的第一输入端和第二输入端,所述第一放大器的第一输出端和第二输出端分别连接至第二放大器的同相输入端和反相输入端,所述第一放大器的第一输出端还通过第六电阻连接至所述第三放大器的输出端,第五电容与所述第六电阻并联;

所述第二放大器的输出端连接至所述带通滤波电路的输出端,所述第二放大器的输出端还通过所述第五电阻连接至所述第二放大器的反相输入端,所述第四电容与所述第五电阻并联;

所述第三放大器的同相输入端连接至所述带通滤波电路的第三输入端,所述第三放大器的反相输入端通过所述第七电阻连接至所述带通滤波电路的输出端,所述第三放大器的输出端通过所述第六电容连接至所述第三放大器的反相输入端。

4.根据权利要求3所述的脑深部信号放大电路,其特征在于,所述第五电阻和/或所述第六电阻是可变电阻。

5.根据权利要求3所述的脑深部信号放大电路,其特征在于,所述第四电容和/或所述第五电容是可变电容。

6.根据权利要求1所述的脑深部信号放大电路,其特征在于,所述脑深部信号放大电路还包括第三电容,所述第三电容与所述第四电阻并联。

7.根据权利要求1所述的脑深部信号放大电路,其特征在于,所述第四电阻是可变电阻。

8.根据权利要求1所述的脑深部信号放大电路,其特征在于,所述脑深部信号放大电路还包括信号采集电路,用于采集所述第一脑深部信号和所述第二脑深部信号;

所述信号采集电路包括第一开关组和第二开关组;

所述第一开关组中的多个开关和脑深部的多个电极触点一一对应,且每个开关的第一端连接至电极触点,每个开关的第二端连接至所述第一电容;

所述第二开关组中的多个开关和脑深部的多个电极触点一一对应,且每个开关的第一端连接至电极触点,每个开关的第二端连接至所述第二电容。

9.一种脑深部信号放大器,其特征在于,所述脑深部信号放大器包括权利要求1-8任一项所述的脑深部信号放大电路。

10.一种神经刺激系统,其特征在于,所述神经刺激系统是植入式神经刺激系统,包括权利要求9所述的脑深部信号放大器。

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