[实用新型]一种改善晶圆背面金属氧化的限位环装置

说明书

本实用新型公开了一种改善晶圆背面金属氧化的限位环装置，包括限位环，所述限位环设有自动升降装置，所述限位环内沿设有向内延伸的封边部，所述封边部遮盖晶圆的上端面边沿。本实用新型与现有技术相比的优点是：本实用新型是在传统等离子去胶装置的基础上，在限位环上增加了与晶圆接触的封边部，大大增加了氧等离子通过限位环和晶圆之间的缝隙进入晶圆背面的难度，可有效解决晶圆金属背面氧化的问题。

技术领域

本实用新型涉及等离子体灰化设备，尤其涉及一种改善晶圆背面金属氧化的限位环装置，属于晶圆设备技术领域。

背景技术

在晶圆制造的工艺中，等离子体灰化设备是整个生产工艺中不可或缺的设备，随着制造工艺要求的不断提高，等离子去胶工艺的复杂性也在不断的提高。尤其是需要在晶圆正反两面完成不同工艺的需求，如晶圆背面为镀金属层时，需要在晶圆正面进行高温去胶工艺，同时又不能对背面金属造成影响，因此如何合理的解决该工艺问题尤为重要。

对于传统的去胶设备所使用的去胶装置如图5所示，晶圆A放置于加热载盘B上，加热载盘B可通过设定值来加热到不同温度，这样当晶圆A通过机械臂传送至加热载盘表面时便会对晶圆A起到加热的效果，因此通过设定不同的温度，便可实现不同的去胶速率的。晶圆A周围一圈的限位环C用晶圆A限位，确保晶圆A在工艺腔中位置的固定，去胶工艺所采用的是氧的等离子体。这样在通过氧的等离子体在处理背面为镀有金属的样品时，氧气的等离子就会穿过限位环C和加热载盘B之间的窄缝扩撒到晶圆A下表面，进而在进行去胶工艺时，会对晶圆A下表面的金属层造成一定的氧化，因此如何避免或减少氧等离子进入晶圆下表面是解决背部金属被氧化的关键。为此，研发一种改善晶圆背面金属氧化的限位环装置，成为本领域技术人员亟待解决的问题。

实用新型内容

本实用新型是为了解决上述不足，提供了一种改善晶圆背面金属氧化的限位环装置。

本实用新型的上述目的通过以下的技术方案来实现：一种改善晶圆背面金属氧化的限位环装置，包括限位环，所述限位环设有自动升降装置，所述限位环内沿设有向内延伸的封边部，所述封边部遮盖晶圆的上端面边沿。

进一步地，所述封边部呈阶梯状，所述封边部包括加热板封边环和晶圆封边环。使用时，加热板封边环遮盖加热板上端面边沿，晶圆封边环遮盖晶圆的上端面边沿。

本实用新型与现有技术相比的优点是：本实用新型是在传统等离子去胶装置的基础上，在限位环上增加了与晶圆接触的封边部，大大增加了氧等离子通过限位环和晶圆之间的缝隙进入晶圆背面的难度，可有效解决晶圆金属背面氧化的问题。

附图说明

图1是本实用新型实施例一的结构示意图。

图2是本实用新型自动去胶工艺的运行逻辑示意图。

图3是本实用新型实施例二的结构示意图。

图4是传片时限位环和晶圆的状态示意图。

图5是传统等离子去胶装置的限位环结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型进一步详述。

如图1、图2及图3所示，一种改善晶圆背面金属氧化的限位环装置，包括限位环1，所述限位环1设有自动升降装置2，所述限位环1内沿设有向内延伸的封边部3，所述封边部3遮盖晶圆4的上端面边沿。

进一步地，如图3所示，所述封边部3呈阶梯状，所述封边部3包括加热板封边环301和晶圆封边环302。使用时，加热板封边环301遮盖加热板5上端面边沿，晶圆封边环302遮盖晶圆4的上端面边沿。

本实用新型可有效避免氧等离子体在处理晶圆正面时，背面金属镀层不被氧化，其自动运行工艺逻辑如图3所示，可实现全自动的运行方案。传片时自动升降限位环和晶圆的状态如图4所示。

以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。