[实用新型]一种盛放脑部深核团记录金属电极的装置有效
| 申请号: | 202121175783.9 | 申请日: | 2021-05-28 |
| 公开(公告)号: | CN213963653U | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
| 发明(设计)人: | 翁谢川 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军军事科学院军事医学研究院 |
| 主分类号: | A61B50/30 | 分类号: | A61B50/30;A61B5/293;A61B5/386 |
| 代理公司: | 北京艾格律诗专利代理有限公司 11924 | 代理人: | 王子溟 |
| 地址: | 100039 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 盛放 脑部 深核团 记录 金属电极 装置 | ||
本申请提供了一种盛放脑部深核团记录金属电极的装置。所述盛放脑部深核团记录金属电极的装置包括:盒本体,所述盒本体具有一个容纳空间;缓冲海绵,所述缓冲海绵设置在所述容纳空间内,所述缓冲海绵上设置有用于容置脑部深核团记录金属电极的容纳槽;温度传感器,所述温度传感器设置在所述缓冲海绵内部;加热器,所述加热器设置在所述盒本体外部,用于为所述盒本体进行加热;总控制器,所述总控制器安装在所述缓冲海绵内部。本申请的盛放脑部深核团记录金属电极的装置的缓冲海绵可以防止外力冲击脑部深核团记录金属电极,并且在缓冲海绵上设置有容纳槽可以将脑部深核团记录金属电极整个放入,从而从各个方向包裹住脑部深核团记录金属电极。
技术领域
本申请属于脑部深核团记录金属电极辅助技术领域,特别涉及一种盛放脑部深核团记录金属电极的装置。
背景技术
脑部深核团记录金属电极比较脆弱,很容易被折断和受到污染,并且在试验过程中,可能需要多次拿取并保持特定温度放置,因此,急需要一种能够盛放并且保护脑部深核团记录金属电极的装置。
因此,希望有一种技术方案来克服或至少减轻现有技术的至少一个上述缺陷。
实用新型内容
本申请的目的是提供了一种盛放脑部深核团记录金属电极的装置,以解决上述至少一方面的问题。
在本申请的第一方面,一种盛放脑部深核团记录金属电极的装置,所述盛放脑部深核团记录金属电极的装置包括:
盒本体,所述盒本体具有一个容纳空间;
缓冲海绵,所述缓冲海绵设置在所述容纳空间内,所述缓冲海绵上设置有用于容置脑部深核团记录金属电极的容纳槽;
温度传感器,所述温度传感器设置在所述缓冲海绵内部;
加热器,所述加热器设置在所述盒本体外部,用于为所述盒本体进行加热;
总控制器,所述总控制器安装在所述缓冲海绵内部。
可选地,所述盒本体包括第一半壳体以及第二半壳体,所述第一半壳体上设置有第一容纳区域,所述第二半壳体上设置有第二容纳区域,所述第一半壳体以及所述第二半壳体通过铰接方式连接,所述第一半壳体能够绕所述铰接位置旋转从而盖合所述第二半壳体,当所述第一半壳体盖合所述第二半壳体时,所述第一容纳区域与所述第二容纳区域组成所述容纳空间。
可选地,所述缓冲海绵包括第一海绵体以及第二海绵体,所述第一海绵体设置在所述第一容纳区域内,所述第二海绵体设置在所述第二容纳区域内;
所述容纳槽设置在所述第一海绵体上。
可选地,所述第一半壳体包括第一半壳体底板以及自所述第一半壳体底板的一个面向远离另一个面的方向延伸的第一半壳体周侧壁,所述第一半壳体周侧壁与所述第一半壳体底板合围形成所述第一容纳区域;
所述第二半壳体包括第二半壳体底板以及自所述第二半壳体底板的一个面向远离另一个面的方向延伸的第二半壳体周侧壁,所述第二半壳体周侧壁与所述第二半壳体底板合围形成所述第二容纳区域。
可选地,所述盒本体进一步包括分隔板,所述分隔板设置在所述第一半壳体底板的设置有第一半壳体周侧壁的面上和/或设置在所述第二半壳体底板的设置有第二半壳体周侧壁的面上,所述分隔板将第一容纳区域分隔成第一海绵容置区域以及第一液体容置区域和/或将所述第二容纳区域分隔成第二海绵容置区域以及第二液体容置区域,所述第一海绵体设置在第一海绵容置区域内和/或所述第二海绵体设置在所述第二海绵容置区域内。
可选地,所述盒本体进一步包括第一液体容置区域盖板,所述第一液体容置区域盖板安装在所述液体容置区域,所述第一液体容置区域盖板、第一容纳区域上的分隔板、所述第一半壳体底板以及第一半壳体周侧壁合围形成封闭的所述第一液体容置区域,所述第一液体容置区域内设置有清洗液体。
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