[实用新型]晶圆制样装置

权利要求书

1.一种晶圆制样装置，其特征在于，包括：

底座；

定位轴，设置于所述底座上，所述定位轴为空心柱体结构；

承载结构，包括一穿设于所述定位轴内的转轴，以及设置于所述转轴上的载台，所述载台位于所述定位轴远离所述底座的一侧，用于承载晶圆；

圆心定位结构，包括均匀的围设于所述定位轴的外围的多个伸缩抓手，用于控制多个所述伸缩抓手同步进行伸缩运动的第一控制单元，以及用于感应多个所述伸缩抓手是否与晶圆接触的传感器，所述伸缩抓手包括固定于所述定位轴侧壁上的套管，以及伸缩连接于所述套管内的L形伸缩杆，所述L形伸缩杆包括插接于所述套管内的第一部分，和与所述第一部分相垂直的第二部分，所述传感器位于所述第二部分靠近所述载台的一侧，在多个所述伸缩抓手均与承载于载台上的晶圆接触时，对承载于载台上的晶圆圆心进行定位；

待切割位置确定结构，包括用于控制所述载台转动的第二控制单元，以及位于所述载台的一侧的寻边器，所述寻边器用于在所述载台带动其上的晶圆转动的过程中，确定晶圆上的缺口的位置，所述第二控制单元还用于根据所述缺口的位置控制所述载台转动，以使得待切割位置位于预设位置；

切割裂片结构，用于对晶圆的待切割位置进行切割裂片。

2.根据权利要求1所述的晶圆制样装置，其特征在于，所述寻边器包括设置于所述载台的一侧的L形支架，所述L形支架包括平行于所述载台设置的支撑杆，所述支撑杆靠近所述载台的一侧设置有光学传感器，所述载台带动其上的晶圆旋转一周的过程中，所述光学传感器采集晶圆的边缘的信息，以确定晶圆上的缺口的位置。

3.根据权利要求1所述的晶圆制样装置，其特征在于，还包括控制所述载台在第一状态和第二状态之间转换的升降单元，所述第一状态下，所述升降单元控制所述载台下降至第一位置，以使得所述切割裂片结构对所述载台上的晶圆进行切割划痕，所述第二状态下，所述升降单元控制所述载台上升至第二位置，以使得所述切割裂片结构对所述载台上的晶圆进行裂片。

4.根据权利要求3所述的晶圆制样装置，其特征在于，还包括均匀设置于所述定位轴的外围的多个支撑台，所述支撑台沿所述载台的径向方向延伸设置，所述支撑台包括远离所述底座的支撑面，所述支撑面包括靠近所述定位轴的第一区域以及位于所述第一区域一侧的第二区域，所述第一区域向靠近所述底座的方向凹陷形成凹槽；

在所述第一状态下，所述载台容纳于所述凹槽内，且所述载台的承载面与所述支撑面的所述第二区域位于同一平面内，以使得所述载台和所述支撑台共同支撑晶圆；

在所述第二状态下，所述载台脱离所述凹槽，且所述载台与所述支撑面的所述第二区域之间具有间隙。

5.根据权利要求4所述的晶圆制样装置，其特征在于，多个所述支撑台中包括第一支撑台，所述第一支撑台在垂直于自身延伸方向上的宽度大于其余支撑台在垂直自身延伸方向上的宽度，所述预设位置位于所述第一支撑台的中心线上，所述中心线的延伸方向与所述载台的径向方向平行。

6.根据权利要求4所述的晶圆制样装置，其特征在于，所述支撑台设置有3个，所述伸缩抓手设置有3个，相邻两个伸缩抓手之间设置一个所述支撑台。

7.根据权利要求1所述的晶圆制样装置，其特征在于，所述载台上设置有吸附孔，所述吸附孔与真空吸附设备连接以用于吸附固定晶圆。

8.根据权利要求7所述的晶圆制样装置，其特征在于，所述吸附孔内插接有垫圈，所述垫圈的一端外露于所述吸附孔以与承载于所述载台上的晶圆接触。

9.根据权利要求1所述的晶圆制样装置，其特征在于，所述切割裂片结构包括：

L形支座，所述L形支座包括垂直于所述底座设置的固定杆，以及与所述固定杆垂直的连接杆；

切割单元，包括滑动设置于所述连接杆上的滑块，以及固定于所述滑块上的切割刀；

裂片单元，包括设置于所述固定杆上的裂片钳。