[实用新型]一种高效背接触式太阳能电池

说明书

本实用新型公开了一种高效背接触式太阳能电池，包括p型晶体硅基体，所述p型晶体硅基体的前表面从内到外依次设有前表面掺杂区、前表面钝化层和的减反层，所述前表面掺杂区包括交替设置的n+掺杂区和非掺杂区；所述p型晶体硅基体的背表面从内到外依次设有隧穿氧化层、背表面掺杂层、背表面钝化层和金属电极，所述背表面掺杂层包括交替设置的n+掺杂层和p+掺杂层。本实用新型的太阳能电池，载流子分离能力强，复合低，电池效率高。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种高效背接触式太阳能电池。

背景技术

背接触电池是一种将电池正负极栅线均放置在电池背面(非受光面)的电池，背接触电池比PERC电池具有更高的能量转换效率，背接触电池的受光面无任何的金属电极遮挡，可增加光吸收，从而有效增加电池的短路电流，使电池的能量转换效率得到提高。

现有背接触电池的p+/p高低结的载流子分离能力较差，且与硼掺杂浓度有关，掺杂浓度越高，分离能力越好，但自身复合也越高；掺杂浓度过低，其分离能力又会降低，降低载流子的复合速率有限，且硼扩散的难度又高，制备困难。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种高效背接触式太阳能电池，载流子分离能力强，复合低，电池效率高。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种高效背接触式太阳能电池，包括p型晶体硅基体，所述p型晶体硅基体的前表面从内到外依次设有前表面掺杂区、前表面钝化层和的减反层，所述前表面掺杂区包括交替设置的n+掺杂区和非掺杂区；

所述p型晶体硅基体的背表面从内到外依次设有隧穿氧化层、背表面掺杂层、背表面钝化层和金属电极，所述背表面掺杂层包括交替设置的n+掺杂层和p+掺杂层。

作为上述方案的改进，所述n+掺杂区的方阻为100～200Ω/sqr。

作为上述方案的改进，所述n+掺杂区的宽度为200～1000μm。

作为上述方案的改进，所述n+掺杂区的宽度为400～800μm。

作为上述方案的改进，所述n+掺杂区的面积：前表面掺杂区的面积＝(3～6):10。

作为上述方案的改进，所述p+掺杂层上设有p+钝化层，所述背表面钝化层覆盖在n+掺杂层和p+钝化层上，所述p+钝化层由AlO_x制成。

作为上述方案的改进，所述p+钝化层的厚度为2～20nm。

作为上述方案的改进，所述n+掺杂层的方阻为50～200Ω/sqr，所述p+掺杂层的方阻为50～200Ω/sqr。

作为上述方案的改进，所述隧穿氧化层的厚度为1～5nm。

实施本实用新型，具有如下有益效果：

本实用新型在p型晶体硅基体的前表面局部区域进行n+掺杂形成n+掺杂区，其余区域不掺杂为非掺杂区，从而形成局部PN结；这种结构既降低了p型晶体硅基体前表面的复合，又提供了电场效应，加速载流子的分离，降低复合，提高了短波段载流子的收集率。此外，n+掺杂区可以通过离子注入、磷扩散或LPCVD原位掺杂工艺形成，掺杂工艺简单，易于形成，成本低。

本实用新型在p型晶体硅基体的背表面p+掺杂层上形成AlO_x，由于AlO_x为带负电性介质膜，可以提供优异的场钝化效果，减少载流子的复合。

本实用新型的太阳能电池通过局部PN结、在背表面p+掺杂层形成带负电性介质膜，可以获得较高的开压和短流，从而获得更高的电池效率。

附图说明

图1是本实用新型高效背接触式太阳能电池的结构示意图。

具体实施方式