[实用新型]晶片检测取片器有效
| 申请号: | 202121146509.9 | 申请日: | 2021-05-26 |
| 公开(公告)号: | CN215527699U | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
| 发明(设计)人: | 周一;毕洪伟;彭杰;黄玉荣;赵红 | 申请(专利权)人: | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 黄宗波 |
| 地址: | 404000 重庆市*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶片 检测 取片器 | ||
本实用新型涉及半导体晶圆加工技术领域,公开了晶片检测取片器,包括相对设置且结构相同的上取片器和下取片器,上取片器和下取片器均包括接触盘,上取片器的接触盘和下取片器的接触盘之间预留有间隙,间隙的厚度大于晶片的厚度,接触盘的一端固定有连接部,连接部远离接触盘的一端固定有旋转部,两个旋转部之间设有销轴,且两个旋转部通过销轴转动连接;上取片器和下取片器内均设有真空管,真空管贯穿旋转部和连接部;两个接触盘相对的一侧均开设有真空吸附孔。本实用新型不仅能够安全地检测晶片,还能够在不重新放回晶片的前提下检测晶片的两面,降低了晶片的不合格率,同时也提高了检测的工作效率。
技术领域
本实用新型涉及半导体晶圆加工技术领域,尤其涉及晶片检测取片器。
背景技术
随着半导体材料加工技术的发展,晶片加工渐渐转为全自动化,这能够减少人工操作过程中产生的人为误差,增加晶片加工中的合格率。但是在晶片加工过程中,需要检测晶片表面是否被腐蚀,这一操作仍需要人工进行,并且在此过程中,不能直接使用手接触晶片的表面,必须借助取片装置对晶片进行拿取,以此保证晶片表面的洁净度。目前常用镊子和真空吸笔对晶片进行取片检测。
但是在使用镊子进行取片过程中,容易无法控制力度,导致晶片表面划伤;在使用真空吸笔进行取片时,真空吸笔的面积较小,在检测晶片过程中,如果吸力减弱或者消失时,晶片易从吸笔上掉落,导致晶片破损。并且对于其他改进后的晶片取片器而言,也只能检测晶片的单面,而对于与取片器接触的一面无法有效检测,若是将晶片放回后再取出,会增加晶片的取片次数,提高了晶片被损伤的风险;并且将晶片放回后,工作人员可能会忘记检测晶片的另外一面或者和其他待检测的晶片混淆,提高晶片的不合格率。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的目的是提供晶片检测取片器,解决了现有技术中的取片器只能检测晶片单面的问题。
本实用新型通过以下技术手段解决上述技术问题:
晶片检测取片器,包括相对设置且结构相同的上取片器和下取片器,所述上取片器和下取片器均包括接触盘,所述上取片器的接触盘和下取片器的接触盘之间预留有间隙,所述间隙的厚度大于晶片的厚度;所述接触盘的一端固定有连接部,所述连接部远离接触盘的一端固定有旋转部,两个所述旋转部之间设有销轴,且两个所述旋转部通过销轴转动连接;所述上取片器和下取片器内均设有真空管,所述真空管贯穿旋转部和连接部;两个所述接触盘相对的一侧均开设有真空吸附孔,每个所述真空吸附孔均与其对应的真空管连通,所述真空管远离真空吸附孔的一端延伸出旋转部。
通过采用上述方案,当工作人员使用该取片器检测晶片时,首先将真空管与外部的真空发生系统或者负压源连通,然后转动旋转部,使得上取片器和下取片器的接触盘相互错开,然后打开与上取片器的真空管连通的真空发生系统或者负压源,上取片器的真空吸附孔产生负压吸力,然后将该接触盘与晶片接触,并通过负压吸力将晶片吸附在接触盘表面,此时,工作人员可以检测晶片未与接触盘接触的一面;当这一面检测结束后,再次转动旋转部,使得上取片器和下取片器的接触盘相互重合,然后打开与下取片器的真空管连通的真空发生系统或者负压源,并关闭与上取片器的真空管连通的真空发生系统或者负压源,晶片会落到下取片器的接触盘上,待晶片稳定后,再次转动旋转部,使得上取片器和下取片器的接触盘相互错开;此时,可以快速检测晶片的另外一面,不用将晶片放回便能够检测晶片的两面,降低了晶片的不合格率,同时也提高了检测的工作效率。
进一步,所述真空管上安装有位于旋转部内的控制阀,所述控制阀上安装有开关,所述开关位于旋转部的外侧。
通过采用上述方案,工作人员在取片器上便能够控制真空管的启闭,提高工作效率。
进一步,所述接触盘为柔性接触盘,所述连接部为柔性连接部。
通过采用上述方案,能够更好地保护晶片,避免晶片的表面出现刮痕等损伤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





