[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板、显示面板和装置

说明书

本公开提供了一种薄膜晶体管、阵列基板、显示面板和装置，涉及显示技术领域。所述薄膜晶体管包括：栅极和有源层，位于衬底基板的一侧；栅极绝缘层，位于所述栅极和所述有源层之间；和间隔开的源极和漏极，均与所述有源层接触，其中，所述栅极绝缘层的厚度与所述有源层的厚度的第一比值的范围为3至4。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板、显示面板和装置。

背景技术

随着显示技术的发展，显示面板的分辨率越来越高，单位面积的像素的个数越来越多。

随着5G的不断普及，大尺寸超高清显示面板在医疗领域、展示领域和赛事直播等领域将广泛应用。

实用新型内容

根据本公开实施例的一方面，提供一种薄膜晶体管，包括：栅极和有源层，位于衬底基板的一侧；栅极绝缘层，位于所述栅极和所述有源层之间；和间隔开的源极和漏极，均与所述有源层接触，其中，所述栅极绝缘层的厚度与所述有源层的厚度的第一比值的范围为3至4。

在一些实施例中，所述有源层包括：重掺杂的第一半导体层，包括间隔开的第一部分和第二部分，所述第一部分与所述源极接触，所述第二部分与所述漏极接触；和第二半导体层，位于所述第一半导体层和所述栅极绝缘层之间，并且与所述栅极绝缘层接触。

在一些实施例中，所述栅极绝缘层的厚度与所述第一半导体层的厚度的第二比值的范围为15至24。

在一些实施例中，所述第二比值的范围为18至22。

在一些实施例中，所述第一半导体层的第一部分与所述第二半导体层的第三部分接触，所述第一半导体层的第二部分与所述第二半导体层的第四部分接触，所述第二半导体层位于所述第三部分和所述第四部分之间的部分为沟道，所述沟道的宽长比的范围为0.52至0.6。

在一些实施例中，所述沟道的宽长比的范围为0.54至0.58。

在一些实施例中，所述源极与所述第二半导体层的第五部分接触，所述漏极与所述第二半导体层的第六部分接触，所述源极和所述漏极的厚度为第一厚度，所述第五部分和所述第六部分的厚度为第二厚度，所述第一厚度与所述第二厚度的第三比值的范围为5.2至7。

在一些实施例中，所述第三比值的范围为5.8至6.5。

在一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括：覆盖所述源极和所述漏极的绝缘保护层，所述绝缘保护层包括：第一面，与所述源极靠近所述漏极的第一侧面接触；第二面，与所述漏极靠近所述源极的第二侧面接触；和第三面，与所述第二半导体层远离所述栅极绝缘层的一面接触，并且与所述第一面和第二面邻接，所述第三面与所述第一面之间的夹角为第一夹角，所述第三面与所述第二面之间的夹角为第二夹角，所述第一夹角和所述第二夹角中的至少一个大于90度、且小于或等于110度。

在一些实施例中，所述第一半导体层的导电类型为n型，所述第二半导体层为本征半导体层。

在一些实施例中，所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料包括非晶硅。

在一些实施例中，所述第二半导体层的材料包括氢化非晶硅。

在一些实施例中，所述栅极绝缘层的厚度的范围为4500埃至5000埃；所述有源层的厚度的范围为1000埃至1500埃。

在一些实施例中，所述第一比值的范围为3.4至3.8。

在一些实施例中，所述栅极位于所述衬底基板和所述栅极绝缘层之间。

根据本公开实施例的另一方面，提供一种阵列基板，包括：多个像素驱动电路，每个像素驱动电路包括多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管中的至少一个包括上述任意一个实施例所述的薄膜晶体管。