[实用新型]一种低功耗两线磁传感器模组有效
| 申请号： | 202121077245.6 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN214502493U | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 姜文昌 | 申请（专利权）人： | 深圳市沃达瑞电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01D5/14 | 分类号： | G01D5/14 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 王庆凯 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 两线磁 传感器 模组 | ||
【权利要求书】：
1.一种低功耗两线磁传感器模组，其特征在于：包括霍尔元件U1、控制单元Q1、电容C1、电容C2、电阻R1，所述霍尔元件U1的第一端口与电容C2的一端连接，所述霍尔元件U1的第二端口与电容C1的一端连接，电容C1的另一端与控制单元Q1的第一端口连接，电阻R1的一端与电容C1和控制单元Q1的第一端口之间的公共连接点连接。
2.根据权利要求1所述的一种低功耗两线磁传感器模组，其特征在于：所述控制单元Q1包括三极管或场效应管中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种低功耗两线磁传感器模组，其特征在于：所述磁传感器模组还包括二极管D1，二极管D1的负极与电容C2的一端连接。
4.根据权利要求2所述的一种低功耗两线磁传感器模组，其特征在于：所述场效应管为N沟道场效应管。
5.根据权利要求1所述的一种低功耗两线磁传感器模组，其特征在于：所述霍尔元件U1的型号为sm353lt。
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