[实用新型]一种低成本非隔离型IGBT驱动电路

权利要求书

1.一种低成本非隔离型IGBT驱动电路，包括上桥IGBT驱动电路和下桥IGBT驱动电路，其特征在于，所述上桥IGBT驱动电路包括芯片U1、电阻R1、开关管Q1、二极管D1和二极管D2，下桥IGBT驱动电路包括芯片U2A、电阻R7、开关管Q3、电阻R11和二极管D3，芯片U1的脚1连接信号NU和电阻R3，芯片U1的脚3连接电阻R3的另一端和电阻R5，电阻R5的另一端连接信号PU，芯片U1的脚6连接电容C2、电容C1、电阻R1和二极管D2的脚2，芯片U1的脚5连接电阻R2和电阻R4，电阻R4的另一端连接三极管Q2的基极和二极管D2的脚1，芯片U1的脚4连接电容C2的另一端、电容C1的另一端、三极管Q2的基极，电阻R2的另一端连接二极管Z1的阴极、电阻R6、电容C3、二极管D2的脚3和开关管Q1的栅极，电容C2的另一端连接电容C1的另一端、芯片U1的脚4、三极管Q2的集电极、二极管Z1的阳极、电阻R6的另一端、电容C3的另一端、开关管Q1的源极和开关管Q3的漏极，芯片U2A的脚7连接2.5V电信号，芯片U2的脚6连接信号NU，芯片U2的脚3连接电阻R7、三极管Q4的集电极、16V电压、电容C4和二极管D3的脚1，电阻R7的另一端连接电阻R11、三极管Q4的基极、三极管Q5的基极和芯片U2A的脚1，三极管Q4的发射极连接电阻R8、电阻R9、电容C6和三极管Q5的发射极，三极管Q5的集电极连接芯片U2A的脚12、电阻R11的另一端、电容C4的另一端、二极管Z2的阳极、电阻R10、电容C5和开关管Q3的源极，电阻R8的另一端连接二极管Z2的阴极、电阻R10的另一端、电容C5的另一端和开关管Q3的栅极，电阻R9的另一端连接电容C6的另一端和二极管D3的脚2。

2.根据权利要求1所述的一种低成本非隔离型IGBT驱动电路，其特征在于，所述芯片U1的型号为ACPL-W314。

3.根据权利要求2所述的一种低成本非隔离型IGBT驱动电路，其特征在于，所述芯片U2A的型号为LM339。

4.根据权利要求1所述的一种低成本非隔离型IGBT驱动电路，其特征在于，所述二极管D2为复合二极管，由两个二极管同向串联组成，其中一个二极管的阳极为脚1，另一个二极管的阴极为脚2，两个二极管的连接处为脚3。

5.根据权利要求1所述的一种低成本非隔离型IGBT驱动电路，其特征在于，所述二极管D3为复合二极管，由两个二极管反向串联组成，其中两个二极管的阳极连接处为脚3，两个二极管的阴极分别为脚1和脚2。

6.根据权利要求1所述的一种低成本非隔离型IGBT驱动电路，其特征在于，所述三极管Q2为PNP三极管。

7.根据权利要求1所述的一种低成本非隔离型IGBT驱动电路，其特征在于，所述三极管Q4为NPN三极管。

8.根据权利要求1所述的一种低成本非隔离型IGBT驱动电路，其特征在于，所述三极管Q5为PNP三极管。