[实用新型]冷冻芯片、冷冻系统及样品测试系统

权利要求书

1.一种冷冻芯片，其特征在于，所述冷冻芯片与低温冷源接触，用以冷冻样品，包括：

样品放置层，其表面划分为至少一个局部温控区域，所述局部温控区域用于放置样品；

若干个温控单元，用于调整所述局部温控区域的温度；其中，所述温控单元为导电材料；

芯片基底，支撑所述样品放置层的顶面或者底面形成第一接触面；所述第一接触面与所述局部温控区域在同一平面的投影不重叠或者部分重叠。

2.根据权利要求1所述的冷冻芯片，其特征在于，

所述芯片基底支撑于所述样品放置层的中心区域外的周边区域；所述中心区域划分为至少一个局部温控区域；或者

所述芯片基底支撑于所述样品放置层的中心区域；所述中心区域外的周边区域划分为至少一个局部温控区域；或者

所述芯片基底支撑于所述局部温控区域的间隔位置处。

3.根据权利要求1所述的冷冻芯片，其特征在于，

所述芯片基底支撑所述样品放置层的顶面形成所述第一接触面时，所述芯片基底上还具有第二接触面，用于与所述低温冷源接触；其中，所述第一接触面与所述第二接触面位于所述芯片基底的同一侧面。

4.根据权利要求1所述的冷冻芯片，其特征在于，

所述温控单元与所述样品放置层为一体化结构。

5.根据权利要求1所述的冷冻芯片，其特征在于，所述温控单元采用芯片微纳加工工艺设置于所述样品放置层，利用所述温控单元划分所述局部温控区域。

6.根据权利要求5所述的冷冻芯片，其特征在于，

所述样品放置层为导热层；所述温控单元设置在所述导热层上，以在所述导热层上划分所述局部温控区域；或者

所述样品放置层包括：导热层和采用芯片微纳加工工艺制作于所述导热层上的第一隔离层；其中，所述温控单元设置在所述第一隔离层上，以在所述第一隔离层上划分所述局部温控区域；或者

所述样品放置层包括：导热层、采用芯片微纳加工工艺制作于所述导热层上的第一隔离层和采用芯片微纳加工工艺制作于所述第一隔离层上的第二隔离层；其中，所述温控单元设置在所述第一隔离层上，以在所述第二隔离层上划分所述局部温控区域；或者

所述样品放置层包括：第三隔离层、采用芯片微纳加工工艺制作于所述第三隔离层上的导热层、采用芯片微纳加工工艺制作于所述导热层上的第一隔离层和采用芯片微纳加工工艺制作于所述第一隔离层上的第二隔离层；其中，所述温控单元设置在所述第一隔离层上，以在所述第二隔离层上划分所述局部温控区域；或者

所述样品放置层包括：第三隔离层、采用芯片微纳加工工艺制作于所述第三隔离层上的第一隔离层、采用芯片微纳加工工艺制作于所述第一隔离层上的导热层和采用芯片微纳加工工艺制作于所述导热层上的第二隔离层；其中，所述温控单元设置在所述第三隔离层上，以在所述第二隔离层上划分所述局部温控区域。

7.根据权利要求1所述的冷冻芯片，其特征在于，

所述样品放置层包括：分体设置的至少一个样品层、加热层、第四隔离层、导热层以及第五隔离层；

其中，所述样品层表面划分为至少一个局部温控区域；所述温控单元设置在所述加热层上。

8.根据权利要求6或7所述的冷冻芯片，其特征在于，所述导热层靠近所述温控单元的部分与所述导热层端部部分的厚度大于二者之间导热层部分的厚度；和/或

所述导热层靠近所述温控单元的部分与所述导热层端部部分之间的导热层部分采用图案化结构设置。

9.根据权利要求6-8任一项所述的冷冻芯片，其特征在于，所述局部温控区域设置有至少一个容纳样品的闭口样品容纳腔和/或开口样品容纳腔。

10.根据权利要求9所述的冷冻芯片，其特征在于，所述温控单元还包括设置在所述闭口样品容纳腔和/或开口样品容纳腔的壁上的辅助温控单元。