[实用新型]Micro LED显示装置

说明书

一种Micro LED显示装置，包括：发光模组及滤光板。发光模组包括衬底、N型GaN层、发光层、P型GaN层及绝缘层，绝缘层远离P型GaN层的一面设置有电路层，电路层分别与N型GaN层及P型GaN层连接。滤光板包括玻璃基板及光阻层，光阻层开设有多个第一发光槽、多个第二发光槽及多个第三发光槽，第一发光槽中设置有红光像素单元，第二发光槽设置有绿光像素单元，第三发光槽设置有蓝光像素单元。设置电路层，根据具体需要设计电路层的电路，将大量发光网格LED单元进行电连通，避免大量芯片的转移，有利于降低生产难度，再通过滤光板，避免使用红、蓝、绿三色芯片，避免存在电压差异，降低了电源设计难度。

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种Micro LED显示装置。

背景技术

Micro LED(Micro Light Emitting Diode，微型发光二极管)是微发光二极管，是新的显示技术，与传统的LED相比，具有更多优势，例如，亮度更高、发光效率更好，且更加节能，而Micro LED显示装置是一般通过将LED结构进行微小化、阵列化、薄膜化，并通过封装制备得到的，从而可以得到简单的Micro LED显示装置。

然而，现有的Micro LED显示装置通常是通过使用红、蓝、绿三基色芯片，然后通过巨量转移红、蓝、绿三基色的芯片到基板后进行封装，从而得到Micro LED显示装置，但是，由于需要对大量芯片从蓝膜转移到PCB上，芯片转移数量数量巨大，导致工艺实现难度高，且芯片与芯片间在放置的过程中必须存在一定间距，造成pitch值较大，同时，红、蓝、绿三基色芯片的电压存在差异，对电源设计增加了难度。

实用新型内容

基于此，有必要提供一种Micro LED显示装置。

本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种Micro LED显示装置，包括：

发光模组，所述发光模组包括衬底、N型GaN层、发光层、P型GaN层及绝缘层，所述衬底、所述N型GaN层、所述发光层、所述P型GaN层及所述绝缘层依次叠设，所述绝缘层远离所述P型GaN层的一面设置有电路层，所述电路层分别与所述N型GaN层及所述P型GaN层连接；及

滤光板，所述滤光板包括玻璃基板及光阻层，所述玻璃基板设置于所述衬底远离所述N型GaN层的一面上，所述光阻层设置于所述玻璃基板远离所述衬底的一面上，所述光阻层开设有多个第一发光槽、多个第二发光槽及多个第三发光槽，各所述第一发光槽、各所述第二发光槽及各所述第三发光槽呈矩阵分布，每一所述第一发光槽中设置有红光像素单元，每一所述第二发光槽中设置有绿光像素单元，每一所述第三发光槽中设置有蓝光像素单元。

在一个实施例中，所述发光层的发光波长为380nm～480nm。

在一个实施例中，所述发光模组还包括反光层，所述反光层设置于所述P型GaN层及所述绝缘层之间。

在一个实施例中，所述绝缘层开设有第一导电槽，所述电路层通过所述第一导电槽与所述反光层连接。

在一个实施例中，所述发光层开设有第一导通槽，所述P型GaN层开设有第二导通槽，所述反光层开设有第三导通槽，所述第一导通槽、所述第二导通槽及所述第三导通槽相互连通，所述绝缘层延伸至所述第一导通槽、所述第二导通槽及所述第三导通槽中，所述绝缘层开设有第二导电槽，所述电路层通过所述第二导电槽与所述N型GaN层连接。

在一个实施例中，所述绝缘层为二氧化硅绝缘层。

在一个实施例中，所述滤光板还包括保护膜，所述保护膜设置于所述光阻层远离所述玻璃基板的一面上。

在一个实施例中，所述红光像素单元包括红色荧光粉层及红色滤光片，所述红色荧光粉层设置于所述第一发光槽的底部，所述红色滤光片设置于所述红色荧光粉层远离所述第一发光槽底部的一面上。