[实用新型]一种基于场效应管的砷化镓功率管电源电路有效
| 申请号: | 202120958610.8 | 申请日: | 2021-05-07 |
| 公开(公告)号: | CN215010051U | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
| 发明(设计)人: | 顾飞 | 申请(专利权)人: | 南京震冠电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H02M3/155 | 分类号: | H02M3/155;H02M1/32 |
| 代理公司: | 江苏银创律师事务所 32242 | 代理人: | 孙计良 |
| 地址: | 211100 江苏省南京*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 场效应 砷化镓 功率管 电源 电路 | ||
1.一种基于场效应管的砷化镓功率管电源电路,其特征在于,包括正负压转换芯片U1、场效应管Q1、三极管Q2、第二瞬态抑制二极管D2、第三瞬态抑制二极管D3、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3;其中,第一电阻R1和第三瞬态抑制二极管D3串联于电源输入端VIN和接地端之间,第一电阻R1和第三瞬态抑制二极管D3之间接引出驱动端;驱动端连接正负压转换芯片U1的输入端,并通过第三电阻R3连接正负压转换芯片U1的使能端;三极管Q2的基极通过第二瞬态抑制二极管D2连接正负压转换芯片U1的输出端,发射极接地,集电极通过第二电阻R2连接电压输入端VIN;场效应管Q1的栅极连接三极管Q2的集电极,源极连接电源输入端VIN,漏极连接高电平输出端VDD;负电平输出端VEE连接正负压转换芯片U1的输出端;第三瞬态抑制二极管D3为5V瞬态抑制二极管,使得驱动端电压不超过6V;第二瞬态抑制二极管D2为4V瞬态抑制二极管。
2.如权利要求1所述的基于场效应管的砷化镓功率管电源电路,其特征在于,电源输入端VIN和接地端之间还连接有第一电容C1。
3.如权利要求1所述的基于场效应管的砷化镓功率管电源电路,其特征在于,电源输入端VIN和接地端之间还连接有第一瞬态抑制二极管D2;第一瞬态抑制二极管D2为15V瞬态抑制二极管。
4.如权利要求1所述的基于场效应管的砷化镓功率管电源电路,其特征在于,高电平输出端VDD和接地端之间还连接有第二电容C2。
5.如权利要求1所述的基于场效应管的砷化镓功率管电源电路,其特征在于,负电平输出端VEE和接地端之间还连接有第四电容C4。
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