[实用新型]半导体器件结构

权利要求书

1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：

第一导热电极层以及依次在所述第一导热电极层上设置的第一应力过渡层、二极管芯片、第二应力过渡层、第二导热层以及第二电极；

所述第一导热电极层用于散热并能够与外部电路形成导电连接；

所述二极管芯片具有底部焊接面和与所述底部焊接面相对的顶部焊接面，所述第一导热电极层与所述底部焊接面之间的第一应力过渡层的层数至少为一层；

所述第二导热层用于散热，所述顶部焊接面与所述第二导热层之间的第二应力过渡层的层数至少为一层，所述第二导热层用于散热；

所述第二电极与所述第二导热层连接，所述第二电极从所述第二导热层向所述第一导热电极层延伸，使所述第二电极的端部与所述第一导热电极层位于同一水平面。

2.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，还包括硅胶涂层，所述硅胶涂层至少包覆在所述第一应力过渡层、第二应力过渡层以及二极管芯片的外周。

3.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，多层所述第一应力过渡层的总厚度不超过350μm，多层所述第二应力过渡层的总厚度不超过350μm；所述第二电极与所述第二导热层通过焊接固定。

4.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第二导热层和所述第一导热电极层的材料为纯铜或铜合金。

5.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述二极管芯片为TVS二极管芯片或整流管芯片。

6.如权利要求1或5所述的半导体器件结构，其特征在于，所述二极管芯片的数量为单个或多个，当所述二极管芯片的数量为多个时，多个所述二极管芯片通过焊片或焊锡连接。

7.如权利要求6所述的半导体器件结构，其特征在于，所述二极管芯片的衬底材料为硅、砷或锗，所述第一应力过渡层或第二应力过渡层的材料为硅、砷或锗。

8.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一导热电极层表面积大于所述二极管芯片的底部焊接面的面积，所述第一应力过渡层的表面积介于所述第一导热电极层表面积和所述二极管的底部焊接面的面积之间。

9.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第二电极包括第一部分电极以及第二部分电极，所述第一部分电极的一端固定连接在所述第二导热层的端部，另一端设置为弯折连接段，所述第二部分电极的一端设置为弯折连接段，与所述第一部分电极的弯折连接段配合焊接固定，所述第二部分电极的另一端延伸至与所述第一导热电极层位于同一水平面。

10.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，还包括封装壳，所述封装壳包覆在所述半导体器件外表面，露出所述第一导热电极层的部分外表面以及露出所述第二电极的端部。