[实用新型]一种选择性检测分子的硅基反射干涉传感器

权利要求书

1.一种选择性检测分子的硅基反射干涉传感器，所述的硅基为杂化结构，其特征在于：

沿着复合光入射方向依次包括有序硅纳米线阵列层、无序多孔硅层、平面硅基底；其中有序硅纳米线阵列由非实心的纳米线周期性排列而成，且每根纳米线内部设置有随机分布的纳米孔；无序多孔硅层处于有序硅纳米线阵列层下方，该层设有呈树枝状随机分布的纳米孔，且纳米孔的最大直径小于纳米线的直径和最小间距；平面硅基底为实心结构，处于无序多孔硅层下方。

2.根据权利要求1所述的一种选择性检测分子的硅基反射干涉传感器，其特征在于：有序硅纳米线阵列层中纳米线间隔为20nm～10μm，无序多孔硅层中的纳米孔尺寸为2nm～20nm。

3.根据权利要求2所述的一种选择性检测分子的硅基反射干涉传感器，其特征在于：相邻硅纳米线之间的间隔为50nm～4000nm。

4.根据权利要求1所述的一种选择性检测分子的硅基反射干涉传感器，其特征在于：所述的有序硅纳米线阵列层厚度为500nm～10μm，硅纳米线阵列呈六方或四方排布，纳米线直径为100nm～2000nm。

5.根据权利要求1所述的一种选择性检测分子的硅基反射干涉传感器，其特征在于：所述的无序多孔硅层厚度为100nm～50μm，孔隙率为30％～90％。

6.根据权利要求1所述的一种选择性检测分子的硅基反射干涉传感器，其特征在于：所述的平面硅基底为p型掺杂，电阻率为0.001～100Ω·cm，厚度为20μm～1000μm。