[实用新型]一种二维材料制备装置有效
| 申请号： | 202120930868.7 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN214991844U | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 王佩剑 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513;C23C16/455;C23C16/30 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 310000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二维 材料 制备 装置 | ||
1.一种二维材料制备装置，其特征在于，包括处理室，所述处理室顶部和底部设有开口分别用于进气和出气；
气流管路，所述气流管路贯通设置于所述处理室顶部开口处，所述气流管路上端口与气体供给装置相连，气流管路的下端口位于所述处理室内且设置在基片台正中心上方；
等离子发生器，所述等离子发生器设于所述气流管路中部，所述等离子发生器内部与所述气流管路内部连通；
基片台，所述基片台水平设置于所述气流管路下端第一距离范围处；
排气机构，所述排气机构设于所述处理室底部开口处，用于处理室内减压排气；
控制机构，所述控制机构使气态源由气流管路从上往下经过等离子体发生器进入处理室中，并控制所述气态源以第一流速条件和第一温度条件，从而获得各个方向生长均匀的二维材料。
2.如权利要求1所述的二维材料制备装置，其特征在于，所述基片台的直径范围为6cm～20cm。
3.如权利要求1所述的二维材料制备装置，其特征在于，所述气流管路的下端口与基片台上端的间距范围为0.5cm～5cm。
4.如权利要求3所述的二维材料制备装置，其特征在于，所述气流管路的下端口与基片台上端的间距范围为1.5cm～2cm。
5.如权利要求1所述的二维材料制备方法，其特征在于，所述气流管路的下端口的开口直径为0.3cm～1cm。
6.如权利要求1所述的二维材料制备装置，其特征在于，所述基片台底部设有旋转机构，所述旋转机构可控制所述基片台以一定速度旋转。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
