[实用新型]一种基于中性点偏移的断零保护装置

权利要求书

1.一种基于中性点偏移的断零保护装置，其特征在于，所述装置包括单片机芯片、运算放大器、光耦合器、比较器、继电器、脱扣器和三相电源；

所述三相电源与所述运算放大器连接，用于实时获取所述三相电源的采样电压；

所述单片机芯片分别于运算放大器、光耦合器和比较器连接，用于实时确定采样电压是否超过预设阈值；

所述单片机芯片与继电器连接，当确定采样电压是超过预设阈值时，用于向所述继电器发送吸合指令；

所述继电器与所述脱扣器连接，当所述继电器接收到吸合指令时，用于向所述脱扣器发送脱扣指令；

所述脱扣器与所述三相电源连接，当所述脱扣器接收到脱扣指令时，用于切断所述三相电源。

2.根据权利要求1所述的一种基于中性点偏移的断零保护装置，其特征在于，所述单片机芯片采用STM8S003F3P6芯片；

所述单片机芯片的4号引脚连接电阻R13的一端，同时连接电容C8的一端；所述电阻R13的另一端连接+5V电源，同时连接所述单片机芯片的9号引脚；所述电容C8的另一端连接所述单片机芯片的7号引脚，同时接地；

所述单片机芯片的9号引脚连接电容C10的一端，所述电容C10的另一端连接电容C9的一端，同时接地；

所述电容C9的另一端连接的所述单片机芯片的8号引脚；

所述单片机芯片的14号引脚连接电阻R14的一端，所述电阻R14的另一端连接发光二极管D6的阴极，所述发光二极管D6的阳极接地。

3.根据权利要求1所述的一种基于中性点偏移的断零保护装置，其特征在于，

所述三相电源包括接口端P1，其中，所述接口端P1的型号为Header4；

所述接口端P1的1号引脚连接电阻R1的一端，同时连接电阻R2的一端，同时连接电阻R3的一端，同时连接电阻R4的一端，同时连接电阻R17的一端；电阻R17的另一端接地；

所述接口端P1的2号引脚连接所述电阻R1的另一端，同时连接电阻R5的一端；

所述接口端P1的3号引脚连接所述电阻R2的另一端，同时连接电阻R6的一端；

所述接口端P1的4号引脚连接所述电阻R3的另一端，同时连接电阻R7的一端；

所述电阻R4的另一端连接所述电阻R5的另一端，同时连接所述电阻R6的另一端，同时连接所述电阻R7的另一端，同时连接所述运算放大器的正向输入端。

4.根据权利要求1所述的一种基于中性点偏移的断零保护装置，其特征在于，

所述运算放大器的正向输入端连接所述三相电源；

所述运算放大器的反向输入端连接电阻R15的一端，同时连接电阻R16的一端；

所述运算放大器的阳极连接+5V电源；

所述运算放大器的阴极连接所述电阻R16的另一端，同时连接电容C11的一端，同时连接桥式整流电路的第一输入端，同时接地；

所述运算放大器的输出端连接所述电阻R15的另一端，同时连接所述电容C11的另一端，同时连接所述桥式整流电路的第二输入端；

所述桥式整流电路的阳极连接电容C6的一端，同时连接电容C7的一端，同时连接电阻R11的一端；所述电阻R11的另一端连接单片机芯片的19号引脚，同时连接电阻R18的一端；

所述桥式整流电路的阴极连接所述电容C6的另一端，同时连接所述电容C7的另一端，同时连接所述电阻R18的另一端，同时接地。

5.根据权利要求1所述的一种基于中性点偏移的断零保护装置，其特征在于，

所述光耦合器输入端连接所述单片机芯片，用于获取经过所述运算放大器的所述采样电压；

所述光耦合器输出端连接所述单片机芯片，用于向所述单片机芯片反馈经过耦合处理后的所述采样电压。

6.根据权利要求1所述的一种基于中性点偏移的断零保护装置，其特征在于，

所述比较器包括迟滞电路，用于防止所述继电器抖动；

所述比较器的输入端连接所述单片机芯片，用于接收所述单片机芯片的第一信号；

所述比较器的输出端连接所述单片机芯片，用于向所述单片机芯片发送第二信号。