[实用新型]半导体工艺设备及其工艺腔室

权利要求书

1.一种半导体工艺设备的工艺腔室，其特征在于，包括：工艺管、支撑机构、第一射频机构及第二射频机构；

所述支撑结构设置于所述工艺管内，所述支撑机构包括有绝缘材质的支撑杆，所述支撑杆的第一端与所述工艺管的炉口连接，所述支撑杆的第二端与所述工艺管的炉尾连接，所述支撑杆用于承载并定位第一晶舟及第二晶舟；

所述第一射频机构设置于所述支撑杆上，并且靠近所述工艺管的炉口设置，用于将射频引入所述第一晶舟；所述第二射频机构设置于所述工艺管的炉尾处，用于将射频引入所述第二晶舟。

2.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述支撑机构还包括定位装置，两个所述支撑杆的第一端、第二端均与所述工艺管的法兰连接；所述定位装置设置于两个所述支撑杆之间，并且位于所述支撑杆的中部位置，用于对所述第一晶舟及所述第二晶舟进行定位。

3.如权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一射频机构包括前射频结构及后射频结构，所述前射频结构及所述后射频结构并列设置于所述支撑杆上，并且所述前射频结构靠近所述支撑杆的第一端设置，所述后射频结构靠近所述定位装置设置，用于与所述第一晶舟的两端分别电连接。

4.如权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述前射频结构包括两个前承载块，两个所述前承载块分别套设于两个所述支撑杆上，用于承载所述第一晶舟的前端；所述后射频结构包括有后承载块，两个所述后承载块分别套设于两个所述支撑杆上，用于承载所述第一晶舟的后端。

5.如权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述前射频结构还包括前引入件及前引入杆，所述前引入件设置于所述支撑杆上，并且位于所述支撑杆的第二端，所述前引入件与所述炉尾的电极组件的第一电极电连接；所述前引入杆的两端分别与所述前引入件及所述前承载块电连接。

6.如权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述后射频结构还包括有后引入件及后引入杆，所述后引入件设置于两个所述后承载块之间，且所述后引入件与两个所述后承载块电连接，所述后引入杆的一端与所述后引入件电连接，另一端与所述炉尾的电极组件的第二电极电连接，并且所述第二电极与所述电极组的第一电极的极性相反。

7.如权利要求5所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一射频机构还包括有定位件，所述定位件固定设置于所述支撑杆上，用于定位所述前承载块、所述后承载块及所述前引入件。

8.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述第二射频机构包括第一引入杆及第二引入杆，所述第一引入杆及所述第二引入杆的一端分别与所述炉尾的电极组件的第三电极及第四电极电连接，另一端均用于与所述第二晶舟的后端电连接，并且所述第三电极与所述第四电极的极性相反。

9.如权利要求8所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一引入杆及所述第二引入杆均为后插式电极杆，且上下分布。

10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括第一晶舟、第二晶舟以及如权利要求1至9的任一所述的半导体工艺设备的工艺腔室，其中所述工艺腔内的所述第一射频机构用于将射频引入所述第一晶舟，所述第二射频机构用于将射频引入所述第二晶舟。