[实用新型]基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控阵子阵

权利要求书

1.基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控阵子阵，其特征在于，包括：天线子阵、收发电路板(3)、金属散热壳体(1)；

所述天线子阵由M×N个双层宽带微带贴片辐射单元(4)组成；

所述收发电路板(3)与全部双层宽带微带贴片辐射单元(4)层叠设置，采用多层混压板结构将相应的M×N路收发通道、控制电源分配、功分合成网络集成一体，其中，位于同一分区位置的多路收发通道集成在收发电路板(3)上的一片塑封硅基TR芯片(2)中，形成瓦片式结构；

所述塑封硅基TR芯片(2)与金属散热壳体(1)之间设置有热传导金属路径。

2.如权利要求1所述的基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控阵子阵，其特征在于：所述M×N个双层宽带微带贴片辐射单元(4)相应通过M×N个绝缘子(7)与收发电路板(3)垂直互联形成整体。

3.如权利要求1所述的基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控阵子阵，其特征在于：所述塑封硅基TR芯片(2)下方的收发电路板(3)印制板上设置有多个铜浆填塞的过孔(6)，用于将塑封硅基TR芯片(2)工作产生的热量传导至金属散热壳体(1)。

4.如权利要求1所述的基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控阵子阵，其特征在于：所述塑封硅基TR芯片集成的功能模块包括射频开关、平衡式功率放大器、限幅低噪声放大器、6位数控移相器、6位数控衰减器和驱动放大器；并集成了SPI调试接口、波控接口、电源调制接口。

5.如权利要求1所述的基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控阵子阵，其特征在于：所述收发电路板(3)上除了多片塑封硅基TR芯片(2)之外，还包括功分合成网络以及数字控制电路。

6.如权利要求1所述的基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控阵子阵，其特征在于：所述双层宽带微带贴片辐射单元(4)共有16个，并组成4×4的天线子阵；相应的，所述收发电路板上的塑封硅基TR芯片共有4片，每片硅基TR芯片有四路收发通道，能够完成接收信号放大和相位幅度调整，并将发射信号移相放大输出。

7.如权利要求6所述的基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控阵子阵，其特征在于：所述塑封硅基TR芯片为工作在X波段的单片集成四通道TR芯片。

8.如权利要求1所述的基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控阵子阵，其特征在于：该基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控阵子阵对外接口包括SMP连接器的射频接口和J30J连接器的电源控制接口。

9.如权利要求1所述的基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控阵子阵，其特征在于：该基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控阵子阵的工作频率为X波段，带宽1GHz，波束扫描范围：方位：±45°、俯仰：±45°。