[实用新型]一种多层结构的中子慢化屏蔽装置有效

专利信息
申请号: 202120897894.4 申请日: 2021-04-28
公开(公告)号: CN215007539U 公开(公告)日: 2021-12-03
发明(设计)人: 张伟;肖鹏飞;苏家豪;郑皓;刘伟容;贺施政;王欣;王宏凯 申请(专利权)人: 中国核电工程有限公司
主分类号: G21C17/10 分类号: G21C17/10
代理公司: 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 代理人: 任晓航;屈献庄
地址: 100840 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 多层 结构 中子 慢化 屏蔽 装置
【权利要求书】:

1.一种多层结构的中子慢化屏蔽装置,包括设置在γ屏蔽层(6)内的中子慢化屏蔽体,所述中子慢化屏蔽体包括核心慢化体(2),核心慢化体(2)内设有探测器安装孔(1),其特征在于,所述探测器安装孔(1)的位置偏向于核心慢化体(2)正对被测物体一侧,在核心慢化体(2)除正对被测物体一侧的外表面设有中子反射层(3),中子反射层(3)外覆盖有中子屏蔽层(5)。

2.如权利要求1所述的多层结构的中子慢化屏蔽装置,其特征在于,所述核心慢化体(2)采用高密度聚乙烯或超高分子量聚乙烯材料。

3.如权利要求1所述的多层结构的中子慢化屏蔽装置,其特征在于,如果所述核心慢化体(2)已经实现所需的探测效率,则取消所述中子反射层(3)。

4.如权利要求1所述的多层结构的中子慢化屏蔽装置,其特征在于,在所述中子屏蔽层(5)内还可以设置中子吸收层(4)。

5.如权利要求1-4中任意一项所述的多层结构的中子慢化屏蔽装置,其特征在于,所述中子慢化屏蔽体呈立方体或半圆柱体结构。

6.如权利要求1所述的多层结构的中子慢化屏蔽装置,其特征在于,所述中子反射层(3)采用铍片或石墨片。

7.如权利要求4所述的多层结构的中子慢化屏蔽装置,其特征在于,所述中子吸收层(4)采用铬片或碳化硼片。

8.如权利要求1所述的多层结构的中子慢化屏蔽装置,其特征在于,所述中子屏蔽层(5)采用含硼聚乙烯材料。

9.如权利要求1所述的多层结构的中子慢化屏蔽装置,其特征在于,所述γ屏蔽层(6)为铅板。

10.如权利要求1所述的多层结构的中子慢化屏蔽装置,其特征在于,在整个装置的外部设有用于固定和安装的外壳(7);所述外壳(7)为不锈钢材料。

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