[实用新型]一种多层结构的中子慢化屏蔽装置有效
| 申请号: | 202120897894.4 | 申请日: | 2021-04-28 |
| 公开(公告)号: | CN215007539U | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
| 发明(设计)人: | 张伟;肖鹏飞;苏家豪;郑皓;刘伟容;贺施政;王欣;王宏凯 | 申请(专利权)人: | 中国核电工程有限公司 |
| 主分类号: | G21C17/10 | 分类号: | G21C17/10 |
| 代理公司: | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人: | 任晓航;屈献庄 |
| 地址: | 100840 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 多层 结构 中子 慢化 屏蔽 装置 | ||
1.一种多层结构的中子慢化屏蔽装置,包括设置在γ屏蔽层(6)内的中子慢化屏蔽体,所述中子慢化屏蔽体包括核心慢化体(2),核心慢化体(2)内设有探测器安装孔(1),其特征在于,所述探测器安装孔(1)的位置偏向于核心慢化体(2)正对被测物体一侧,在核心慢化体(2)除正对被测物体一侧的外表面设有中子反射层(3),中子反射层(3)外覆盖有中子屏蔽层(5)。
2.如权利要求1所述的多层结构的中子慢化屏蔽装置,其特征在于,所述核心慢化体(2)采用高密度聚乙烯或超高分子量聚乙烯材料。
3.如权利要求1所述的多层结构的中子慢化屏蔽装置,其特征在于,如果所述核心慢化体(2)已经实现所需的探测效率,则取消所述中子反射层(3)。
4.如权利要求1所述的多层结构的中子慢化屏蔽装置,其特征在于,在所述中子屏蔽层(5)内还可以设置中子吸收层(4)。
5.如权利要求1-4中任意一项所述的多层结构的中子慢化屏蔽装置,其特征在于,所述中子慢化屏蔽体呈立方体或半圆柱体结构。
6.如权利要求1所述的多层结构的中子慢化屏蔽装置,其特征在于,所述中子反射层(3)采用铍片或石墨片。
7.如权利要求4所述的多层结构的中子慢化屏蔽装置,其特征在于,所述中子吸收层(4)采用铬片或碳化硼片。
8.如权利要求1所述的多层结构的中子慢化屏蔽装置,其特征在于,所述中子屏蔽层(5)采用含硼聚乙烯材料。
9.如权利要求1所述的多层结构的中子慢化屏蔽装置,其特征在于,所述γ屏蔽层(6)为铅板。
10.如权利要求1所述的多层结构的中子慢化屏蔽装置,其特征在于,在整个装置的外部设有用于固定和安装的外壳(7);所述外壳(7)为不锈钢材料。
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