[实用新型]一种双侧掺杂的全无机钙钛矿电池

权利要求书

1.一种双侧掺杂的全无机钙钛矿电池，其特征在于包括导电基底、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层以及电极，所述钙钛矿层设置于所述电子传输层与空穴传输层之间，且所述钙钛矿层与所述电子传输层之间设置有电子掺杂层，所述钙钛矿层与所述空穴传输层之间设置有空穴掺杂层。

2.根据权利要求1所述的双侧掺杂的全无机钙钛矿电池，其特征在于：所述电极为金属电极或透明电极。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的双侧掺杂的全无机钙钛矿电池，其特征在于：所述双侧掺杂的全无机钙钛矿电池包括依次层叠设置的导电基底、电子传输层、电子掺杂层、钙钛矿层、空穴掺杂层、空穴传输层以及电极。

4.根据权利要求3所述的双侧掺杂的全无机钙钛矿电池，其特征在于：所述电子传输层的厚度为10-50nm。

5.根据权利要求3所述的双侧掺杂的全无机钙钛矿电池，其特征在于：所述空穴传输层的厚度为300-600nm。

6.根据权利要求3所述的双侧掺杂的全无机钙钛矿电池，其特征在于：所述电极的厚度为100-200nm。

7.根据权利要求1-2中任一项所述的双侧掺杂的全无机钙钛矿电池，其特征在于：所述双侧掺杂的全无机钙钛矿电池包括依次层叠设置的导电基底、空穴传输层、空穴掺杂层、钙钛矿层、电子掺杂层、电子传输层以及电极。

8.根据权利要求7所述的双侧掺杂的全无机钙钛矿电池，其特征在于：所述空穴传输层的厚度为15-40nm。

9.根据权利要求7所述的双侧掺杂的全无机钙钛矿电池，其特征在于：所述电子传输层的厚度为3-10nm。

10.根据权利要求7所述的双侧掺杂的全无机钙钛矿电池，其特征在于：所述电极的厚度为100-400nm。

11.根据权利要求1-2中任一项所述的双侧掺杂的全无机钙钛矿电池，其特征在于：所述双侧掺杂的全无机钙钛矿电池为正向结构或反置结构。

12.根据权利要求1所述的双侧掺杂的全无机钙钛矿电池，其特征在于：所述导电基底选自FTO导电玻璃、ITO导电玻璃、FTO导电塑料、ITO导电塑料中的任意一种，其中，所述FTO导电玻璃的厚度为500nm，所述ITO导电玻璃的厚度为300-400nm。

13.根据权利要求12所述的双侧掺杂的全无机钙钛矿电池，其特征在于：所述钙钛矿层的厚度为300-1000nm。

14.根据权利要求12所述的双侧掺杂的全无机钙钛矿电池，其特征在于：所述电子掺杂层的厚度为1-3nm。

15.根据权利要求12所述的双侧掺杂的全无机钙钛矿电池，其特征在于：所述空穴掺杂层的厚度为1-5nm。

16.根据权利要求1所述的双侧掺杂的全无机钙钛矿电池，其特征在于：所述双侧掺杂的全无机钙钛矿电池为平面n-i-p型结构或平面p-i-n型结构。