[实用新型]一种可区分晶面的碳化硅晶体

说明书

本实用新型公开了一种可区分晶面的碳化硅晶体，涉及碳化硅单晶制备技术领域；所述晶体的上或下表面为碳面，相对另一面为硅面；碳面和硅面之间为晶体本体，所述晶体本体的侧面设置有刻制的标识结构，所述标识结构的刻制深度为10‑50μm，标识结构用于区分碳面和硅面；本实用新型通过在晶体的侧面通过刻痕的形式设置标识结构，不易在生产加工的过程中消除或引入杂质污染，且可以方便快速的对晶锭或晶片两个晶面进行区分，提高了加工生产的效率；解决了碳化硅晶锭/片及加工过程中碳化硅晶锭/片晶面易混淆，无法识别的问题。

技术领域

本实用新型涉及碳化硅单晶制备技术领域，涉及一种可区分晶面的碳化硅晶体。

背景技术

碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料中的典型材料，具备禁带宽度大、饱和电子迁移率高、热导率大的特点，在许多特殊领域得到了广泛的应用。

制备碳化硅单晶方法通常有PVT、气相、液相等，而籽晶一般使用的是圆片，由于SiC单晶往往使用特定晶面：碳面（0001），硅面（000-1）或有偏角的碳面，硅面等，作为生长、外延面。对于碳化硅单晶生长所需圆形晶锭/片，以及外延所需圆形碳化硅晶片载片，其碳面和硅面不易区分。

传统加工过程中晶面的标识手段不足，便利的晶面无损测试方法尚无，仅使用记号笔等可擦除、去除的标示往往会由于加工、清洗过程造成标示消失无法确定晶锭/晶片的晶面，影响后续使用。晶锭/晶片在加工使用过程中要求高洁净度也不允许可擦除、去除的标示方法，避免引入杂质污染，导致加工使用过程中极易混淆晶锭/晶片的晶面，基于错误的晶面可能导致后续生产出现严重的不良后果。

实用新型内容

本实用新型克服了现有技术的不足，提出一种可区分晶面的碳化硅晶体，解决碳化硅晶锭/片及加工过程中碳化硅晶锭/片晶面易混淆，无法识别的问题。

为了达到上述目的，本实用新型是通过如下技术方案实现的。

一种可区分晶面的碳化硅晶体，所述晶体的上或下表面为碳面，相对另一面为硅面；碳面和硅面之间为晶体本体，所述晶体本体的侧面设置有刻制的标识结构，所述标识结构的刻制深度为10-500μm，标识结构用于区分碳面和硅面。

进一步的，所述的标识结构的数量≥1；所述标识结构的一端与碳面相邻，另一端与硅面相邻，且标识结构的两端形状不同用于区分碳面和硅面。

进一步的，所述的标识结构由第一标识和第二标识组成；第一标识和第二标识的形状不同，第一标识和第二标识位于晶片同一直径的同侧或两侧用于区分碳面和硅面。

进一步，所述的晶体为晶锭或晶片。

更进一步，所述晶锭或晶片为圆柱形。

本实用新型相对于现有技术所产生的有益效果为：

本实用新型通过在晶体的侧面通过刻痕的形式设置标识结构，不易在生产加工的过程中消除或引入杂质污染，且可以方便快速的对晶锭或晶片两个晶面进行区分，提高了加工生产的效率；解决了碳化硅晶锭/片及加工过程中碳化硅晶锭/片晶面易混淆，无法识别的问题。

附图说明

图1为实施例1所述的碳化硅晶锭的结构示意图。

图2为实施例2所述的碳化硅晶锭的结构示意图。

图中，1是碳面，2是硅面，3是标识结构，4是第一标识，5是第二标识。

具体实施方式

为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，结合实施例和附图，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。下面结合实施例及附图详细说明本实用新型的技术方案，但保护范围不被此限制。

实施例1