[实用新型]一种改善塑封气洞的半导体封装结构

权利要求书

1.一种改善塑封气洞的半导体封装结构，其特征在于，包括：

引线框架(10)，其包括基岛(11)以及管脚(12)；所述管脚(12)包括基部(123)，以及与所述基部(123)连接的焊接部(121)，所述焊接部(121)的顶面高于所述基部(123)的顶面；所述焊接部(121)远离所述基部(123)的一端的部位为第一焊接段(1211)；

半导体元件(20)，其固定于所述基岛(11)；所述半导体元件(20)背离所述基岛(11)的一侧设有正面电极(21)；

电连接件(30)，其一端与所述正面电极(21)连接，另一端与所述焊接部(121)的顶面连接；

封装体(40)，其包覆所述引线框架(10)以及所述半导体元件(20)；所述第一焊接段(1211)的底面至所述封装体(40)的底面的间距定义为a，所述封装体(40)的厚度定义为b；a与b的比值大于等于0.25，或a与b的比值为0。

2.根据权利要求1所述的改善塑封气洞的半导体封装结构，其特征在于，当a与b的比值大于等于0.25时，所述焊接部(121)的底面高于所述基部(123)的底面。

3.根据权利要求2所述的改善塑封气洞的半导体封装结构，其特征在于，a与b的比值小于等于0.5。

4.根据权利要求2所述的改善塑封气洞的半导体封装结构，其特征在于，所述焊接部(121)还包括第二焊接段(1212)，所述第一焊接段(1211)通过所述第二焊接段(1212)与所述基部(123)连接；

所述第一焊接段(1211)的底面高于所述第二焊接段(1212)的底面，以在所述焊接部(121)的底部形成凹槽(1213)；所述凹槽(1213)的槽底面为所述第一焊接段(1211)的底面。

5.根据权利要求4所述的改善塑封气洞的半导体封装结构，其特征在于，所述凹槽(1213)通过化学腐蚀、精压或激光雕刻的方式形成。

6.根据权利要求4所述的改善塑封气洞的半导体封装结构，其特征在于，所述焊接部(121)还包括形成于所述第一焊接段(1211)底部边缘的冲压凸起(1214)。

7.根据权利要求2所述的改善塑封气洞的半导体封装结构，其特征在于，所述焊接部(121)还包括第二焊接段(1212)，所述第一焊接段(1211)通过所述第二焊接段(1212)与所述基部(123)连接；所述第一焊接段(1211)的底面与所述第二焊接段(1212)的底面齐平。

8.根据权利要求1所述的改善塑封气洞的半导体封装结构，其特征在于，当所述a与b的比值为0时，所述焊接部(121)的底面、所述基部(123)的底面以及所述封装体(40)的底面齐平，所述焊接部(121)的底面以及所述基部(123)的底面由所述封装体(40)露出。

9.根据权利要求1-7任一项所述的改善塑封气洞的半导体封装结构，其特征在于，所述电连接件(30)为金属导电片。

10.根据权利要求1-7任一项所述的改善塑封气洞的半导体封装结构，其特征在于，所述封装体(40)为环氧树脂封装体(40)。