[实用新型]一种叠层太阳电池

权利要求书

1.一种叠层太阳电池，其特征在于，所述的太阳电池包括层叠设置的TOPCon电池和钙钛矿太阳电池；所述的TOPCon电池包括硅片层，所述硅片层的一侧表面层叠设置有扩散硅层和钝化层，所述硅片层的另一侧表面层叠设置有隧穿层和多晶硅层；

所述多晶硅层远离隧穿层的表面与所述钙钛矿太阳电池远离电极的一侧贴合。

2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述扩散硅层上插设有至少一个第一金属电极；

所述第一金属电极与扩散硅层的接触部设置有重掺杂硅。

3.根据权利要求2所述的太阳电池，其特征在于，所述TOPCon电池为n型TOPCon电池，所述硅片层的材质为n型硅，所述扩散硅层的材质为p型扩散硅，所述多晶硅层为n型多晶硅；

由所述多晶硅层远离隧穿层的方向，所述钙钛矿太阳电池包括层叠设置的钙钛矿层、电子传输层、缓冲层、导电层、金属电极层和减反层，所述钙钛矿层与多晶硅层贴合。

4.根据权利要求3所述的太阳电池，其特征在于，所述钙钛矿层与多晶硅层之间还设置有复合层；

所述复合层和钙钛矿层之间还设置有空穴传输层。

5.根据权利要求2所述的太阳电池，其特征在于，所述TOPCon电池为p型TOPCon电池，所述硅片层的材质为p型硅，所述扩散硅层的材质为n型扩散硅，所述多晶硅层为p型多晶硅；

由所述多晶硅层远离隧穿层的方向，所述钙钛矿太阳电池包括层叠设置的电子传输层、钙钛矿层、缓冲层、导电层、金属电极层和减反层，所述电子传输层与多晶硅层贴合。

6.根据权利要求5所述的太阳电池，其特征在于，所述电子传输层与多晶硅层之间还设置有复合层；

所述缓冲层和钙钛矿层之间还设置有空穴传输层。

7.根据权利要求3所述的太阳电池，其特征在于，所述n型TOPCon电池中，所述重掺杂硅为p型重掺杂硅。

8.根据权利要求5所述的太阳电池，其特征在于，所述p型TOPCon电池中，所述重掺杂硅为n型重掺杂硅；

所述金属电极层上连接有至少一个第二金属电极；

所述的隧穿层的厚度为0.5～3nm；

所述多晶硅层的厚度为10～200nm；

所述扩散硅层的厚度≥30nm。

9.根据权利要求4或6所述的太阳电池，其特征在于，所述复合层的厚度为0～200nm但不包括0；

所述钙钛矿层的厚度为100～1000nm；

所述缓冲层的厚度为0～100nm但不包括0；

所述导电层的厚度为0～500nm但不包括0；

所述金属电极层的厚度为0～500nm但不包括0；

所述减反层的厚度为0～5mm但不包括0；

所述空穴传输层的厚度为0～500nm但不包括0；

所述电子传输层的厚度为0～500nm但不包括0。

10.根据权利要求9所述的太阳电池，其特征在于，所述钝化层的材质为SiO₂、氮化硅、氧化铝或氮氧化硅中的任意一种；

所述复合层的材质为纳米晶硅、多晶硅、SnO₂、TiO₂、ZnO₂、ITO、FTO、IZO或AZO中的任意一种；

所述空穴传输层的材质为Spiro-OMeTAD、PTAA、氧化镍、P3HT、PEDOT:PSS、CuSCN、CuAlO₂或Spiro-TTB中的任意一种；

所述电子传输层的材质为SnO₂、TiO₂、ZnO₂、ITO、FTO、IZO、富勒烯、富勒烯衍生物、BaSnO₃或AZO中的任意一种；

所述富勒烯衍生物为C60、C70或PCBM中的任意一种；

所述缓冲层的材质为氧化钼、LiF、SnO₂、TiO₂、SiO₂或非晶硅中的任意一种；

所述导电层的材质为SnO₂、TiO₂、IZO、AZO、石墨烯或纳米银中的任意一种；

所述金属电极层的材质为Au、Ag、Al或Cu中的任意一种；

所述减反层的材质为LiF、MgF₂、Si₃N₄、SiO₂或绒面柔性贴膜材料中的任意一种；

所述绒面柔性贴膜材料为二甲基硅氧烷聚合物。