[实用新型]支持并联动态均流电路结构的IGBT分立器件

说明书

本实用新型公开了支持并联动态均流电路结构的IGBT分立器件，包括IGBT分立器件本体、承载基板、硅脂层、传导板和密封垫圈，所述密封垫圈的表面活动连接有盒体，所述盒体的一侧从左至有一次固定连接有定位连接块和连接柱，所述连接柱的内部插接有弹簧，所述弹簧的一端活动连接有定位杆。本实用新型的主要优势在于提供支持并联动态均流电路结构的IGBT分立器件，本设备提供了一种减震散热结构，通过减震散热结构的设置，本装置提高了IGBT分立器件本体在不同环境条件下使用的稳定性和可靠性，减小了IGBT分立器件本体发生故障的风险，延长了IGBT分立器件的使用寿命，使本装置能够在多种条件下使用，提高了本装置对不同环境条件的适应能力。

技术领域

本实用新型涉及电子设备技术领域，具体为支持并联动态均流电路结构的IGBT分立器件。

背景技术

IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大，MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小，IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域，IGBT模块是由IGBT绝缘栅双极型晶体管芯片与续流二极管芯片通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上，由于IGBT分立器件在使用时会在局部产生较大的发热量，而IGBT分立器件又是由多种不同的材料组合而成，因此在使用过程中经常会由于材料的膨胀系数不一致导致接口端子断裂或者接线处出现部分熔毁等情况。

实用新型内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本实用新型提供了支持并联动态均流电路结构的IGBT分立器件，解决了上述背景技术中提出的问题。

(二)技术方案

为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案予以实现：支持并联动态均流电路结构的IGBT分立器件，包括IGBT分立器件本体，所述IGBT分立器件本体的下表面焊接有承载基板，所述承载基板的下表面涂覆有硅脂层，所述硅脂层的下表面活动连接有传导板，所述传导板的一侧活动连接有密封垫圈，所述密封垫圈的表面活动连接有盒体，所述盒体的一侧从左至有一次固定连接有定位连接块和连接柱，所述连接柱的内部插接有弹簧，所述弹簧的一端活动连接有定位杆。

可选的，所述盒体的正面从左至有一次设置有进水口和出水口。

可选的，所述定位连接块的内部插接有锁紧螺栓，所述锁紧螺栓的表面套接有盒盖。

可选的，所述定位杆的一侧固定连接有套管，所述套管的内部插接有橡胶衬套。

可选的，所述定位杆的表面活动连接有定位座，所述定位座的一侧固定连接有底架。

可选的，所述定位杆的两端均开设有螺纹孔，所述螺纹孔的内部螺纹连接有限位螺钮。

(三)有益效果

本实用新型提供了支持并联动态均流电路结构的IGBT分立器件，具备以下有益效果：

本实用新型的主要优势在于提供支持并联动态均流电路结构的IGBT分立器件，本设备提供了一种减震散热结构，通过减震散热结构的设置，本装置提高了IGBT分立器件本体在不同环境条件下使用的稳定性和可靠性，减小了IGBT分立器件本体发生故障的风险，延长了IGBT分立器件的使用寿命，使本装置能够在多种条件下使用，提高了本装置对不同环境条件的适应能力，增大了使用范围。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型结构分式示意图；