[实用新型]一种单面或双面太阳能电池的图形化掩膜及太阳能电池

权利要求书

1.一种单面或双面太阳能电池的图形化掩膜，其特征在于：包括太阳能电池基底，所述太阳能电池基底的正面及背面均设置有导电金属层，所述导电金属层上至少覆盖有一层不导电的绝缘掩膜层，位于导电金属层待电镀区域的绝缘掩膜层被激光去除以露出下方的导电金属层；激光去除后保留的绝缘掩膜层与露出的导电金属层待电镀区域的交界处设有重叠水波纹状结构。

2.根据权利要求1所述的图形化掩膜，其特征在于：所述绝缘掩膜层的厚度介于10-50000nm。

3.根据权利要求1所述的图形化掩膜，其特征在于：所述绝缘掩膜层对太阳能电池基底的四个晶边完整覆盖、不覆盖或部分覆盖。

4.根据权利要求1所述的图形化掩膜，其特征在于：位于导电金属层待电镀区域的绝缘掩膜层采用激光去除，所述激光为皮秒、飞秒或奈秒激光。

5.根据权利要求1所述的图形化掩膜，其特征在于：所述重叠水波纹状结构的曲率半径介于1-500nm,重叠比例介于0.1％-100％。

6.一种太阳能电池，其特征在于：包括权利要求1-5任一所述的绝缘掩膜层，所述太阳能电池的金属导电层上电镀金属增厚层以形成金属电极；所述金属电极形状为蕈状或半椭圆状，其中，细栅电极的电镀前线宽(X)、电镀后线宽(X1)、线高(Y)的关系为：X1＝X+Y。

7.一种太阳能电池，其特征在于：包括权利要求1-5任一所述的绝缘掩膜层，所述太阳能电池的金属导电层上电镀金属增厚层以形成金属电极；所述金属导电层与金属增厚层之间夹有绝缘掩膜层，以使金属电极呈工字型结构。