[实用新型]硅片刻蚀装置

权利要求书

1.一种硅片刻蚀装置，其特征在于：包括用于对硅片(8)单面喷射介质的喷淋装置、用于对硅片(8)进行支撑的支撑机构和用于限制硅片(8)位移范围的第一限位机构，所述支撑机构位于喷淋机构和第一限位机构之间，当硅片(8)放置在支撑机构上时，所述硅片(8)与第一限制机构之间具有间隙，当所述喷淋装置对硅片(8)单面喷射介质时，所述硅片(8)在介质的作用力下悬浮并脱离支撑机构，同时硅片(8)与第一限位机构接触并限制硅片(8)位移。

2.根据权利要求1所述的硅片刻蚀装置，其特征在于：还包括槽体(1)，所述喷淋装置、支撑机构和限位机构均设置在槽体(1)上。

3.根据权利要求2所述的硅片刻蚀装置，其特征在于：所述槽体(1)包括上槽(101)和下槽(102)，所述上槽(101)设置在下槽(102)上方，所述上槽(101)和下槽(102)之间相互连通。

4.根据权利要求2或3所述的硅片刻蚀装置，其特征在于：所述槽体(1)上方盖设有盖板(2)。

5.根据权利要求1所述的硅片刻蚀装置，其特征在于：所述第一限位机构包括设置在硅片(8)上方的芯轴(3)。

6.根据权利要求5所述的硅片刻蚀装置，其特征在于：所述第一限位机构还包括浮动压轮(4)，所述浮动压轮(4)上设置有安装孔(401)，所述安装孔(401)的孔径大于芯轴(3)的直径，所述芯轴(3)穿过安装孔(401)。

7.根据权利要求6所述的硅片刻蚀装置，其特征在于：当硅片(8)放置在支撑机构上时，所述浮动压轮(4)与硅片(8)接触。

8.根据权利要求1所述的硅片刻蚀装置，其特征在于：所述支撑机构包括设置在喷淋装置上方的若干顶针(5)。

9.根据权利要求1或8所述的硅片刻蚀装置，其特征在于：所述支撑机构上设置有用于将硅片(8)径向限位的第二限位机构。

10.根据权利要求9所述的硅片刻蚀装置，其特征在于：所述第二限位机构包括设置在支撑机构上的若干限位柱(6)，若干所述限位柱(6)围合呈用于限制硅片(8)的限制区域。

11.根据权利要求1所述的硅片刻蚀装置，其特征在于：所述喷淋装置包括输送泵(9)和喷淋头(7)，所述输送泵(9)的输出端与喷淋头(7)连通。

12.根据权利要求8所述的硅片刻蚀装置，其特征在于：所述顶针(5)设置在板体上(10)，所述板体(10)上阵列设置有若干喷淋孔(11)。