[实用新型]一种半导体器件工艺的电解电极接触装置有效

专利信息
申请号: 202120810094.4 申请日: 2021-04-20
公开(公告)号: CN214881882U 公开(公告)日: 2021-11-26
发明(设计)人: 张婷婷;范晓波;乔旭 申请(专利权)人: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
主分类号: C25D7/12 分类号: C25D7/12;C25D17/10;C25D17/00
代理公司: 西安文盛专利代理有限公司 61100 代理人: 彭冬英
地址: 710077 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体器件 工艺 电解 电极 接触 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体器件工艺的电解电极接触装置,包括阳极接触端与阴极接触端,其特征在于:所述阳极接触端包括工作台面(8)、电极固定座(1)、电极提升机构(2)、电极安装支杆(3)、电极接线柱(9)、阳极石墨电极(4),所述工作台面(8)上设有电极固定座(1),所述电极固定座(1)上设有电极提升机构(2),所述电极提升机构(2)包括立杆(12)与阳极压紧弹簧(7),所述立杆(12)上设有阳极压紧弹簧(7),所述电极提升机构(2)通过阳极压紧弹簧(7)可上下移动,所述电极安装支杆(3)一端固定安装在电极提升机构(2)侧面,另一端设有电极接线柱(9),所述阳极石墨电极(4)通过电极接线柱(9)安装在电极安装支杆(3)并穿过电极安装支杆(3)向下伸出;

所述阴极接触端包括石英器皿(6)、阴极石墨电极(5)、阴极接线柱(10)、电极固定卡子(11),所述石英器皿(6)通过电极固定卡子(11)与阴极石墨电极(5)固定,所述阴极石墨电极(5)上设有阴极接线柱(10)。

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