[实用新型]一种GaN电源适配器用铝电解电容器

说明书

一种GaN电源适配器用铝电解电容器，包括铝壳以及盖体，所述铝壳内设置有层叠的阴极箔和阳极箔，所述阴极箔和阳极箔的相同侧分别设置有作为衬底的电解纸，所述贯穿盖体设置有与阳极箔钉接的正极导针和与阴极箔钉接的负极导针，以及覆盖在阴极箔、阳极箔、电解纸之上的电解液，所述铝壳外部设置上卡壳以及下卡壳，所述上卡壳以及下卡壳支架卡接，所述上卡壳以及下卡壳内部设置抗压垫以及硅胶垫，所述上卡壳以及下卡壳前端设置散热孔，所述硅胶垫与抗压垫之间设置承重杆，该装置能够在缩小电容器体积的情况下，保证电容器的耐纹波电流能力，耐电压突变能力，及电容器的使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及电解电容器技术领域，具体为一种GaN电源适配器用铝电解电容器。

背景技术

目前第三代半导体材料以SiC和GaN为主。相较于SiC，GaN材料的优势主要是成本低，易于大规模产业化。尽管耐压能力低于SiC器件，但优势在于开关速度快。同时，GaN如果配合SiC衬底，器件可同时适用高功率和高频率。2020年是GaN电源适配器爆发的一年，由于应用GaN功率器件的电源适配器能同时兼顾高功率和小体积的优点，目前市场需求量火爆。

为了匹配GaN电源适配器小体积的要求，目前国内铝电解电容器生产厂商主要以这几种方案配合：①电容量不变的情况下，降低正箔耐压值，使得电容器体积缩小；②正箔耐压值不变的情况下，降低电容量，使得电容器体积缩小；③正箔耐压值不变的情况下，降低正负箔之间电解纸(6)的厚度，使得电容器体积缩小等。

实用新型内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种GaN电源适配器用铝电解电容器。

(二)技术方案

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:一种GaN电源适配器用铝电解电容器，包括铝壳以及盖体，所述铝壳内设置有层叠的阴极箔和阳极箔，所述阴极箔和阳极箔的相同侧分别设置有作为衬底的电解纸，所述贯穿盖体设置有与阳极箔钉接的正极导针和与阴极箔钉接的负极导针，以及覆盖在阴极箔、阳极箔、电解纸之上的电解液，所述铝壳外部设置上卡壳以及下卡壳，所述上卡壳以及下卡壳支架卡接，所述上卡壳以及下卡壳内部设置抗压垫以及硅胶垫，所述上卡壳以及下卡壳前端设置散热孔，所述硅胶垫与抗压垫之间设置承重杆。

为了能够增加电解液的耐纹波电流能力，本实用新型改进有，所述电解液的电导率达2.8ms/cm以上，耐温性能105℃。

为了使阳极箔和阴极箔能够耐电压突变能力，本实用新型改进有，所述阳极箔的单位比容达0.8μF/cm2以上，阴极箔的化成膜耐压3V以上，导针耐压600V以上。

为了能够增加电容器的使用寿命，本实用新型改进有，所述内层电解纸的紧度不小于0.90g/cm3，外层电解纸的紧度不小于0.90g/cm3。

为了能够对上卡壳以及下卡壳绝缘，本实用新型改进有，所述上卡壳以及下卡壳表面套有绝缘套管。

为了能够增加绝缘套管的耐磨性，本实用新型改进有，所述绝缘套管材质为聚四氟乙烯套管。

(三)有益效果

与现有技术相比，本实用新型提供了一种GaN电源适配器用铝电解电容器，具备以下有益效果：

本发明所述GaN电源适配器用铝电解电容器，其电解液采用耐105℃电导率2.8ms/cm以上，阳极箔比容0.8μF/cm2以上，阴极箔的化成膜耐压3V以上，导针耐压600V以上，电解纸的紧度不小于0.90g/cm3，进而在缩小电容器体积的情况下，保证电容器的耐纹波电流能力，耐电压突变能力，及电容器的使用寿命。

附图说明

图1为本实用新型的结构主视图；

图2为本实用新型的双层电解纸结构剖面示意图