[实用新型]一种巨量转移芯片

权利要求书

1.一种巨量转移芯片，其特征在于，包括：

整片硅片，分割自成品硅片；所述整片硅片包括多块单硅片；所述多块单硅片中相邻的单硅片之间设置有具备预设深度的连接槽，所述连接槽将所述多块单硅片连接为一个整体且因其预设深度而易于将连接为一个整体的多块所述单硅片划分为分开的单硅片；

整片基板，具备多个连接位；所述多个连接位和所述多块单硅片对应连接，以使所述整片硅片与所述整片基板连接构成产品级芯片。

2.如权利要求1所述的巨量转移芯片，其特征在于，所述整片基板包括：从上至下依次连接的油墨层、金属层以及绝缘层；

所述油墨层设置所述多个连接位；所述多个连接位和所述多块单硅片对应连接，以使所述整片硅片与所述油墨层连接。

3.如权利要求1所述的巨量转移芯片，其特征在于，所述连接槽包括第一侧面、第二侧面以及底面；所述第一侧面和所述第二侧面相对设置，所述第一侧面的底端和所述第二侧面的底端与所述底面连接。

4.如权利要求3所述的巨量转移芯片，其特征在于，所述第一侧面和所述第二侧面平行，所述第一侧面的底端和所述第二侧面的底端均与所述底面垂直。

5.如权利要求1-4任一项所述的巨量转移芯片，其特征在于，所述连接位为焊盘，所述焊盘内填充焊料；所述焊料和所述单硅片焊接，以使所述整片硅片与所述整片基板焊接。

6.如权利要求5所述的巨量转移芯片，其特征在于，所述焊盘具备预设焊接深度；所述焊料的填充量超出所述焊接深度。

7.如权利要求6所述的巨量转移芯片，其特征在于，所述焊盘包括第一填充面、第二填充面以及填充底面；所述第一填充面与所述第二填充面相对设置，所述第一填充面的底端和所述第二填充面的底端与所述填充底面连接。

8.如权利要求7所述的巨量转移芯片，其特征在于，所述第一填充面和所述第二填充面平行，所述第一填充面的底端和所述第二填充面的底端均与所述填充底面垂直。

9.如权利要求5所述的巨量转移芯片，其特征在于，所述整片硅片根据所述成品硅片的形状，在不损害完整的所述单硅片的条件下进行分割。

10.如权利要求5所述的巨量转移芯片，其特征在于，所述预设深度的取值范围在所述单硅片的厚度的40％至60％之间进行选取。