[实用新型]硅光集成芯片以及硅光多通道并行光组件

说明书

本实用新型涉及一种硅光集成芯片，包括集成于芯片内部的发射输入波导单元、分路器单元、调制器单元、发射输出波导单元、接收输入波导单元以及接收探测器单元；发射输入波导单元，用于在发射部分接收外界输入的光信号；分路器单元，用于分光；调制器单元，用于调制光信号；发射输出波导单元，用于向外界输出调制器单元调制后的光信号；接收输入波导单元，用于在接收部分接收外部链路输入的光信号；接收探测器单元，用于将光信号转换成光电流。本实用新型采用集成的硅光芯片，发射部分仍采用两路直流激光器组，接收芯片集成在硅光芯片内部，光接口采用业界成熟的FA‑MPO，具有工艺成熟，集成程度高，成本相对较低，耦合工序少等优点。

技术领域

本实用新型涉及光通信技术领域，具体为一种硅光集成芯片以及硅光多通道并行光组件。

背景技术

对于多通道并行光组件，多用于40Gpbs以上速率的场景，如40G、100G、 200G以及400G、800G等应用中，在数据中心的应用中，通常是中短距离的数据传输，传输距离为50-2Km，使用的是SR、DR、FR等多种产品。通过 400G、800G等高速光模块而言，光纤的色散是制约光模块传输距离的主要因素，EML型激光器以获得窄谱宽、外调制的方法是获得稳定调制并且色散低的技术方案，也是现今市场的主流的选择，如专利CN110764202A。然而应用于400G、800G速率的EML型激光器芯片，属于高端有技术瓶颈的核心芯片，价格昂贵，而并行光组件意味着采用多路EML芯片，所以光组件的物料成本很高。如何降低并行光组件的成本一直是业界努力的方向。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种硅光集成芯片以及硅光多通道并行光组件，通过硅光集成芯片进行并行光组件的封装可以极大地降低成本。

为实现上述目的，本实用新型实施例提供如下技术方案：一种硅光集成芯片，包括集成于芯片内部的发射输入波导单元、分路器单元、调制器单元、发射输出波导单元、接收输入波导单元以及接收探测器单元；

所述发射输入波导单元，用于在发射部分接收外界输入的光信号；

所述分路器单元，用于分光；

所述调制器单元，用于调制光信号；

所述发射输出波导单元，用于向外界输出所述调制器单元调制后的光信号；

所述接收输入波导单元，用于在接收部分接收外部链路输入的光信号；

所述接收探测器单元，用于将光信号转换成光电流。

进一步，所述发射输入波导单元包括第一发射输入波导101-1和第二发射输入波导101-2，

所述分路器单元包括第一3db分路器102-1、第二3db分路器102-2、第一比例分路器103-1、第二比例分路器103-2、第三比例分路器103-3以及第四比例分路器103-4，

所述调制器单元包括第一MZ波导型调制器104-1、第二MZ波导型调制器104-2、第三MZ波导型调制器104-3以及第四MZ波导型调制器104-4，

所述发射输出波导单元包括第一发射输出波导105-4、第二发射输出波导 105-3、第三发射输出波导105-2以及第四发射输出波导105-1，

所述接收输入波导单元包括第一接收输入波导106-1、第二接收输入波导 106-2、第三接收输入波导106-3以及第四接收输入波导106-4，

所述接收探测器单元包括第一接收探测器107-1、第二接收探测器107-2、第三接收探测器107-3以及第四接收探测器107-4，