[实用新型]基于氧化镓二维电子气的薄膜场效应晶体管

权利要求书

1.一种基于氧化镓二维电子气的薄膜场效应晶体管，其特征在于，包括，衬底、异质结构、栅介质层、源电极、漏电极及栅电极；所述异质结构包括位于衬底表面的氧化镓层和位于氧化镓层表面的氧化锌层，所述氧化镓层和氧化锌层的界面处形成二维电子气；所述栅介质层位于所述氧化锌层的表面，所述栅电极位于所述栅介质层的表面；所述源电极和漏电极位于所述氧化镓层的表面，且与所述氧化镓层欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的薄膜场效应晶体管，其特征在于，所述氧化镓层的厚度为10nm~100nm。

3.根据权利要求1所述的薄膜场效应晶体管，其特征在于，所述氧化锌层的厚度为1nm~20nm。

4.根据权利要求1所述的薄膜场效应晶体管，其特征在于，所述栅介质层包括氧化铝层、氧化铪层和氧化硅层中的一种或多种的结合，所述氧化铝层的厚度为5nm~50nm。

5.根据权利要求1所述的薄膜场效应晶体管，其特征在于，所述源电极、漏电极和栅电极的材质选自金、银、铜、铝、镍、钛、钼和铂中的一种。

6.根据权利要求1所述的薄膜场效应晶体管，其特征在于，所述源电极、漏电极和栅电极的厚度为20nm~100nm。

7.根据权利要求1所述的薄膜场效应晶体管，其特征在于，所述衬底包括硅衬底、氧化硅衬底和氧化镓衬底中的一种或多种。