[实用新型]均流电路及均流装置有效

专利信息
申请号: 202120765691.X 申请日: 2021-04-14
公开(公告)号: CN214755628U 公开(公告)日: 2021-11-16
发明(设计)人: 徐德飞 申请(专利权)人: 深圳市吉毅创能源科技有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 陈思凡
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区平湖街道禾花社区华南大道一号华南国际皮革皮具原辅料物流区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 流电 装置
【说明书】:

实用新型提出一种均流电路及均流装置,该电路包括控制器和n个并联均流模块,各并联均流模块之间并联连接,且相邻的并联均流模块之间通过预设长度的导线相连,n为大于或等于2的整数;并联均流模块包括采样电阻单元、放电MOS管单元和充电MOS管单元;放电MOS管单元的漏极和充电MOS管单元的源极连接;控制器与并联均流模块连接;其中,第n个并联均流模块的充电MOS单元的漏极与外部负载连接,通过将n个相同的并联均流模块之间并联连接,第n个并联均流模块的充电MOS单元的漏极与外部负载连接,使得每条通道的阻抗相等,解决了现有技术中流过支路的电流不均衡的技术问题,实现了支路均流的技术效果。

技术领域

本实用新型涉及电气技术领域,尤其涉及一种均流电路及均流装置。

背景技术

目前,市场上有很多储能产品、低速电动汽车、电动自行车、电动摩托车、电动特种车等,都用到锂电池,基本都是十几串到二十几串。电池管理系统受空间限制,大多采用了MOS管来做开关。

参照图1,在大功率大电流工作的回路中,电路板上的走线阻抗就不得不考虑了。因为充放电MOS管Qa1-Qan和Qb1-Qbn都是内阻比较小的,基本在几个毫欧,甚至是1毫欧。而电路板上的走线阻抗都有可能达到几个毫欧,甚至比充放电MOS管的内阻要大,此时就必须要考虑走线阻抗。

在充电时,假设流过放电MOS管Qa1的电流产生的电压是Ua1,流过放电 MOS管Qa2的电流产生的电压是Ua2,流过走线阻抗Rb1的电流产生的电压是 Ub1,流过走线阻抗Rd1的电流产生的电压是Ud1,则由Ua1=Ub1+Ua2+Uc1可知,流过放电MOS管Qa1的电流远大于流过放电MOS管Qa2的电流,因为以下回路都是并联关系:Qa1、Rb1-Qa2-Rc1、Rb1-Rb2-Qa3-Rc2-Rc1、Rb1-Rb2-Rb3 -Qa4-Rc3-Rc2-Rc1……,总共有n条回路并联,每条回路的电压都和Qa1的两端的电压相等,但每条回路的阻抗都远大于Qa1的阻抗,所以流过放电MOS 管Qa1电流要远大于流过其它放电MOS管的电流。从放电MOS管Qa1流出的电流流向以下回路:Qb1、Rc1-Qc2-Rd1、Rc1-Rc2-Qb3-Rd2-Rd1、 Rc1-Rc2-Rc3-Qb4-Rd3-Rd2-Rd1……,所以在所有充放电MOS管中,流过放电 MOS管Qa1的电流是最大的,而所有充放电MOS管的型号都是一样的,故充放电MOS管的内阻一样,则放电MOS管Qa1的功率和发热量最大。

因采样电阻Rd与所有MOS管是串联关系,所以流过所有MOS的总电流与流过功率电阻Rd的电流相等。采样电阻Rd承受的功率也是相当大的,由于采样电阻Rd是贴在电路板上的,散热性差,发热量大,使得采样电阻Rd极易老化,内阻变大,电流采样精度也会变差,功率变小,相同的电流条件下,发热量会更大,造成恶性循环,所以采样电阻Rd易因发热过大而烧坏。

同理,在放电时,放电MOS管Qb1的功率和发热量最大,由于流过每个 MOS管的电流不同,从而导致部分MOS管因电流过大被烧坏。

上述内容仅用于辅助理解本实用新型的技术方案,并不代表承认上述内容是现有技术。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提出一种均流电路及均流装置,旨在解决流过每条支路的电流不均衡的技术问题。

为实现上述目的,本实用新型提出一种均流电路,所述电路包括:控制器和n个并联均流模块,各并联均流模块之间并联连接,且相邻的并联均流模块之间通过预设长度的导线相连,n为大于或等于2的整数;

其中,所述并联均流模块包括:采样电阻单元、放电MOS管单元和充电 MOS管单元;

所述采样电阻单元的第一端与外部电池负端连接,所述采样电阻单元的第二端与所述放电MOS管单元的源极连接;

所述放电MOS管单元的漏极和所述充电MOS管单元的源极连接;

所述控制器与所述并联均流模块连接;

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