[实用新型]一种自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路

说明书

本实用新型提出一种自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路包括自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6，二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6依次串联，MOS管Q3的2脚与二极管D4连接，MOS管Q3的3脚与二极管D6连接，MOS管Q1的1脚与MOS管Q2的1脚连接，MOS管Q1的2脚与MOS管Q2的2脚连接，能够提高了负压幅值，间接的降低了驱动电压正压幅值，可以无级调节正负压的幅值，对于高频启动的MOS管，启动第一个驱动电压，负压幅值也最大，正压幅值最低，起到保护MOS管的功能，使MOS管更加安全。

技术领域

本实用新型涉及电路技术领域，尤其涉及一种自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路。

背景技术

近年来，随着数字控制电源技术的发展，大功率开关电源普遍采用DSP控制，在现有的数字控制技术基础上，谐振变换器在启动和建立的过程中是硬开关，开关管的安全存在威胁，急需一种低成本高性能方案来解决此问题。

实用新型内容

为了解决上述问题，本实用新型提出一种自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路。

本实用新型通过以下技术方案实现的：

本实用新型提出一种自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路，所述自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6，所述二极管D1、所述二极管D2、所述二极管D3、所述二极管D4、所述二极管D5和所述二极管D6依次串联，所述MOS管Q3的2脚与所述二极管D4连接，所述MOS管Q3的3脚与所述二极管D6连接，所述MOS管Q1的1脚与所述MOS管Q2的1脚连接，所述MOS管Q1的2脚与所述MOS管Q2的2脚连接。

进一步的，所述自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路包括电阻R1、电阻R2和电阻R3，所述电阻R1与所述MOS管Q1的1脚连接，所述电阻R2一端与所述MOS管Q1的2脚连接，另一端与所述MOS管Q3的1脚连接，所述电阻R3与所述二极管D1连接。

进一步的，所述自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路包括电容C1，所述电容C1与所述电阻R2连接。

本实用新型的有益效果：

本实用新型提出的自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路通过RC低通滤波器对MOS管的驱动进行滤波并驱动三极管，当频率变高到设定的值时，把原来串入了3只二极管压降负压，变为串入6只二极管，这样就提高了负压幅值，间接的降低了驱动电压正压幅值；该电路充分利用了三极管的电流放大特性，可以无级调节正负压的幅值；由于谐振变换器例如LLC谐振频率是动态调整的，这样MOS管的负压幅值会随着频率的升高而提高，也就是降低了正压幅值，这样就高频硬开关启动时，MOS管更加安全，正常运行时采用低负压幅值和高正压幅值，降低开关管的导通损耗；对于高频启动的MOS管，启动第一个驱动电压，负压幅值也最大，正压幅值最低，起到保护MOS管的功能。

附图说明

图1为本实用新型的自适应调整MOS管驱动正压和负压幅值的电路的电路图。

具体实施方式

为了更加清楚完整的说明本实用新型的技术方案，下面结合附图对本实用新型作进一步说明。