[实用新型]一种太阳能双面电池的背面图形结构及太阳能双面电池有效
申请号: | 202120740366.8 | 申请日: | 2021-04-12 |
公开(公告)号: | CN214542250U | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 沈专;李根贞;陆斌;王义涛 | 申请(专利权)人: | 韩华新能源(启东)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 俞春雷 |
地址: | 226200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能 双面 电池 背面 图形 结构 | ||
本实用新型公开了一种太阳能双面电池的背面图形结构,所述背面图形结构设计在所述太阳能双面电池的背面,所述背面图形结构包括栅线组,所述栅线组包括多个相互平行设置的主栅线以及多个垂直于所述主栅线的副栅线,所述太阳能电池的背面对应所述副栅线具有激光槽,所述副栅线包括短副栅,所述短副栅的长度小于对应的所述激光槽的长度。本实用新型的背面图形结构,通过将部分副栅线中的端部缩短形成短副栅,短副栅下的激光槽的长度大于其对应的短副栅的长度,使得背面图形结构中形成检测区域,通过对该检测区域进行显微放大,能够方便地监控短副栅的位置是否与其对应的激光槽的位置对准,进而判断丝网印刷的套印情况。
技术领域
本实用新型属于光伏组件技术领域,具体涉及一种太阳能双面电池的背面图形结构以及包括了该背面图形结构的太阳能双面电池。
背景技术
目前光伏发展迅速,多种高效电池片崭露头角,其中太阳能双面电池也是研究的重点之一。目前在太阳能双面电池的制备过程中,印刷通过相机和套印点等方式进行套印,虽然现有的老印刷设备不如新印刷设备具有更高的印刷和套印精度;但是新的印刷设备价格昂贵,为了适用于现有的老印刷设备,需要对太阳能双面电池的背面图形结构进行优化,以更加便捷地监控和改善背面印刷的栅线和背面激光印套印效果等;同时能够更大程度上的降低投资成本,提高产品的合格率。
发明内容
有鉴于此,为了克服现有技术的缺陷和达到上述目的,本实用新型的目的是提供一种改进的太阳能双面电池的背面图形结构,其能够方便地检测太阳能双面电池的背面栅线套印的准确性。
为了达到上述目的,本实用新型采用以下的技术方案:
一种太阳能双面电池的背面图形结构,所述背面图形结构设计在所述太阳能双面电池的背面,所述背面图形结构包括栅线组,所述栅线组包括多个相互平行设置的主栅线以及多个垂直于所述主栅线的副栅线,所述太阳能电池的背面对应所述副栅线具有激光槽,所述副栅线包括短副栅,所述短副栅的长度小于对应的所述激光槽的长度。
通过将部分副栅线中的端部缩短形成短副栅,短副栅下的激光槽的长度大于其对应的短副栅的长度,使得背面图形结构中形成检测区域,通过对该检测区域进行显微放大,能够方便地监控短副栅的位置是否与其对应的激光槽的位置对准,进而判断丝网印刷的套印情况,并在出现偏移的情况下及时进行调整。
根据本实用新型的一些优选实施方面,所述短副栅与太阳能双面电池平行于副栅线的最近的侧边的距离为0.5-20mm,所述短副栅的两端部与对应激光槽的端部之间的距离为0.1mm-10mm。为了更加方便监控和检测,将短副栅靠近侧边设置,可以与图形中印刷出现的断栅等问题进行有效的区分和辨别,短副栅的两端部与对应激光槽的端部的距离不宜过长,过长会影响背面电流导通和EL(电致发光)。
短副栅可以设置为一根、两根或者多根,且短副栅左右对称地设置,即同一根短副栅其两端与对应的激光槽的端部的距离相同。且当短副栅大于一根时,短副栅可以连续或间隔的设置,当短副栅间隔设置的时候,可以形成多个检测区域。
根据本实用新型的一些优选实施方面,所述主栅线为6-12根,所述副栅线为100-300根,所述主栅线的宽度为0.1-10mm,所述副栅线的宽度为20-300um。在一些实施例中,优选副栅线为140~180根,背面主栅宽度为0.5-2.0mm,副栅线宽度为120-160um,优化图形设计参数,平衡双面电池背面遮光面积(双面率)、背面栅线导电、与激光有效的套印和接触,从而提高双面电池效率。
根据本实用新型的一些优选实施方面,所述主栅线包括位于两端部的第一部、对应背面电极设置的第二部以及设置在相邻第二部之间的第三部,所述第一部、第二部和第三部的宽度相同或不相同。第二部与背电极相接触进行电流传输,其尺寸匹配背电极的尺寸。当第一部和第三部的宽度相同的时候,即整个主栅的宽度上下一致;当第一部和第三部的宽度不相同的时候,第一部的宽度大于第三部的宽度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的