[实用新型]射频电路及电子设备

说明书

本申请公开了一种射频电路及电子设备，属于电子电路领域。其中，射频电路包括：射频收发器、功率放大器、陷波模块、全频段双工器、射频开关以及天线，其中：全频段双工器包括第一端、第二端以及第三端，射频收发器包括输入端、第一输出端及第二输出端；射频收发器的第二输出端、功率放大器、全频段双工器的第三端、全频段双工器的第二端、射频开关和天线顺次连接；陷波模块设置在功率放大器与射频开关之间，陷波模块的控制端与射频收发器的第一输出端连接；全频段双工器的第一端与射频收发器的输入端连接；其中，射频收发器在射频电路处于第一工作状态的情况下，控制陷波模块处于对目标频段内的射频信号进行杂散抑制的状态。

技术领域

本申请属于电子电路领域，具体涉及一种射频电路及一种电子设备。

背景技术

目前，对于LTE(Long Term Evolution，长期演进)B28，其对应的发射频段为718～748MHz，以及接收频段为773～803MHz。但是，由于部分国家在470MHz～710MHz的频率范围内有其他应用，因此3gpp提出对移动终端的杂散要求NS_17。进一步的，基于NS_17、双工器工艺设计能力限制以及对LTE B28的紧急需求，LTE B28采用了两段式设计。具体的，将B28分为B28A和B28B。其中，B28A对应的发射频段为703～733MHz，以及接收频段为758～788MHz。B28B对应的发射频段为718～748MHz，以及接收频段为773～803MHz。另外，两段式LTE B28对应的射频前端电路中包括两个双工器。

同时，随着通信技术的发展，5G频段从最初的n41/n77/n78/79逐步扩展到n1/n3/n5/n38。其中，n28的频段对应的发射频段为：703MHz～748MHz，以及对应的接收频段为：758MHz～803MHz。

由于n28频段的范围和LTE B28频段的范围是相同的，因此当前5G产品上的n28对应的射频前端结构，采用了现有的LTE产品上的B28对应的射频前端结构。

由于n28需要支持20MHz、30MHz、40MHz的带宽，因此，在当前5G产品上的n28对应的射频前端结构采用现有的LTE产品上的B28对应的射频前端结构的基础上，n28在支持20MHz的带宽时，当中心频点在723～728MHz范围内时，发射性能会明显下降。n28在支持30MHz的带宽时，n28只能支持718MHz和733MHz两个信道。以及，n28无法支持40MHz的带宽。

实用新型内容

本申请实施例的目的是提供一种射频电路及电子设备，能够解决n28在支持20MHz的带宽且中心频点在723～728MHz范围内时，发射性能会明显下降、在支持30MHz的带宽时只能支持718MHz和733MHz两个信道、以及无法支持40MHz的带宽的问题。

第一方面，本申请实施例提供了一种射频电路，该射频电路包括射频收发器、功率放大器、陷波模块、全频段双工器、射频开关以及天线，其中：

所述全频段双工器包括第一端、第二端以及第三端，所述射频收发器包括输入端、第一输出端及第二输出端；

所述射频收发器的第二输出端、所述功率放大器、所述全频段双工器的第三端、所述全频段双工器的第二端、所述射频开关和所述天线顺次连接；

所述陷波模块设置在所述功率放大器与所述射频开关之间，所述陷波模块的控制端与所述射频收发器的第一输出端连接；

所述全频段双工器的第一端与所述射频收发器的输入端连接；

其中，所述射频收发器在所述射频电路处于第一工作状态的情况下，控制所述陷波模块处于对目标频段内的射频信号进行杂散抑制的状态，及在所述射频电路处于第二工作状态的情况下，控制所述陷波模块处于非杂散抑制状态。第二方面，本申请实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括第一方面所述的射频电路。