[实用新型]一种清洁晶圆及等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，包括一反应腔，其特征在于：所述反应腔包括：

进气装置，用于向所述反应腔输送清洁气体；

射频电源，用于将所述清洁气体解离为清洁等离子体；

清洁晶圆；

静电吸盘，用于承载所述清洁晶圆；

所述清洁晶圆与所述静电吸盘之间设置若干支撑装置，所述支撑装置与所述清洁晶圆固定连接。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述支撑装置为设置在所述清洁晶圆背面的若干支撑台，所述支撑台使得所述清洁晶圆与所述静电吸盘之间形成具有第一高度的缝隙。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一高度的范围大于0小于等于5毫米。

4.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述支撑台与所述清洁晶圆一体制作或通过粘接方式固定连接。

5.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述支撑台到所述清洁晶圆的圆心距离小于所述静电吸盘的半径。

6.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述支撑台为两个或两个以上不连续支撑台，多个所述不连续支撑台具有相同的高度。

7.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述支撑台为一连续结构，以实现对所述清洁晶圆的平稳支撑。

8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述清洁晶圆具有第一直径，所述静电吸盘具有第二直径，所述第一直径大于等于所述第二直径。

9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述静电吸盘外围设置聚焦环，所述聚焦环与所述静电吸盘之间设置第一缝隙，所述第一缝隙的宽度大于等于0.2mm。

10.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述聚焦环包括第一上表面和第二上表面，所述第一上表面高于所述清洁晶圆的上表面，所述第二上表面低于或平于所述清洁晶圆的下表面。

11.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述聚焦环下方设置一插入环，所述插入环与所述静电吸盘之间设置第二缝隙，所述第二缝隙的宽度小于等于所述第一缝隙的宽度。

12.如权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述聚焦环的下表面和所述插入环的上表面设置相互配合的台阶。

13.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述清洁晶圆与所述支撑装置的材料为相同或不相同。

14.一种清洁晶圆，用于在等离子体清洁工艺中移入一反应腔并覆盖所述反应腔内的静电吸盘上表面，其特征在于，所述清洁晶圆背面设置至少一支撑台，所述支撑台与所述清洁晶圆一体制作或通过粘接方式固定。